OTS修饰的不同厚度酞菁铜OTFT的研究.pdfVIP

第 卷 第 期 液 晶 与 显 示 ， ２４ １ Ｖｏｌ．２４Ｎｏ．１ 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００９ ２ ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＬｉｕｉｄＣｒｓｔａｌｓａｎｄＤｉｓｌａｓ Ｆｅｂ．２００９ ｑ ｙ ｐ ｙ 文章编号： （ ） １００７２７８０２００９０１００６６０５ ＯＴＳ修饰的不同厚度酞菁铜 ＯＴＦＴ的研究 １ ２ １ 刘 向 ，刘 惠 ，薛钰芝 　 　 （ 大连交通大学 材料学院，辽宁 大连 ； 大连理工大学 电信学院，辽宁 大连 ， ： ） １． １１６０２８ ２． １１６０２４Ｅｍａｉｌｌｉｕｘｉａｎ ｄｔｕ．ｅｄｕ．ｃｎ 　 　 　 ＠ ｇ ｊ 摘 要：用十八烷基三氯硅烷（ ）修饰了不同厚度的酞菁铜（ ）有机薄膜晶体管器件， ＯＴＳ ＣｕＰｃ 　 对比酞菁铜厚度为 、 、 的 种器件性能后，得到 的酞菁铜器件具有最高载流 １５４０８０ｎｍ ３ ４０ｎｍ 子迁移率。分析了ＯＴＳ修饰的绝缘层表面对器件性能的影响，得到的４０ｎｍ厚度酞菁铜器 件载流子迁移率为 －３ ２／ · ，阈值电压为 。 ４．３×１０ ｃｍ Ｖ ｓ －９．５Ｖ 关 键 词：酞菁铜；半导体厚度；载流子迁移率 　 　 中图分类号：ＴＮ２７ 文献标识码：Ａ 　　　 尚无系统报道。本文在用 ＯＴＳ修饰绝缘层的基 １ 引 言 　 　　 础上，通过改变酞菁铜的厚度对 ＯＴＦＴ器件的性 在有机薄膜晶体管中，栅绝缘层材料的选择 能进行了研究。 与栅绝缘薄膜的表面性质对有机薄膜晶体管 ２ 实 验 ［ ］ 　 　　 １３ （ ）的器件性能有很大影响 。传统 ＯＴＦＴｓ ＯＴ 的绝缘层主要采用的是 、 等无机材 化学修饰 的过程如图 所示。 ＦＴ ＳｉＯ ＴａＯ ＯＴＳ ＳｉＯ １