金属离子掺杂的Lu2Si2O7的第一性原理研究.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 14 (2013) 147101 金属离子掺杂的Lu Si O 的第一性原理研究* 2 2 7 1† 2 3 林玲 朱家杰 方弘 1) ( 中国科学院福建物质结构研究所, 福州 350002 ) 2) ( 同济大学物理系, 上海 200092 ) 3) ( Department of Earth Sciences, Fitzwilliam College University of Cambridge, Cambridge CB4 3JL, United Kingdom ) ( 2013年2月26 日收到; 2013年4月1 日收到修改稿) 焦硅酸镥掺铈(LPS:Ce) 具有突出的闪烁性能, 比如高光产额和快衰减, 但晶格中的氧空位会影响其闪烁性能. 本文通过第一性原理方法研究了Li, Na, Mg 和Ca 在LPS 中的稳定性和对氧空位的影响. 结果表明: 在缺氧环境下, 这些离子倾向于占据间隙位, 从而可能抑制氧空位. 分析了杂质离子对LPS 电子结构的影响. 关键词: 第一性原理, 焦硅酸镥, 杂质缺陷 PACS: 71.15.−m, 78.70.Ps, 91.60.Ed DOI: 10.7498/aps.62.147101 了氧空位和其他缺陷. 由于氧空位会显正电性, 如 1 引言 果在其周围格点上已经存在带正电的缺陷, 那么根 11 据电荷平衡原理氧空位可能会被抑制 . 杂质离 近年来新型闪烁体焦硅酸镥掺铈(LPS:Ce) 凭 子在晶格中的位置将直接影响周围的电荷环境, 到 借其优越的闪烁性能引起广泛的关注. 它可被广泛 目前为止还没有关于金属离子掺杂对LPS 中氧空 用于核物理, 高能物理和核医学等领域. 其光产额 位的影响的报道. 我们通过第一性原理方法研究 约为26000 ph/MeV, 衰减时间约为38 ns, 这些性能 Li, Na, Mg, Ca 离子在LPS 晶格中的稳定性以及他 与结构相似的商用闪烁体LSO:Ce 相近1−3 . 人们 们对氧空位的影响. 结果表明, 在缺氧的情况下, 这 通过对LPS:Ce 的热释光的研究发现它的余辉较之 些离子都可以有效地抑制氧空位. 这些结果将对在 45 LSO:Ce 要弱很多 这是因为在LSO 中有未与Si 实验上提高LPS:Ce 闪烁性能提供指导. 原子成键的O 原子, 其空位形成能较低, 余辉就是 6 由氧空位缓慢释放束缚的电子造成的 . 对于LPS 2 计算方法 而言, 所有O 原子都与Si 成键, 氧空位较难形成. 7 本文的计算是采用基于密度泛函理论的VASP 然而, Feng 等 发现空气退火后LPS:Ce 的发光强 度有明显提高, 这表明氧空位会降低LPS: Ce 的闪 软件包执行的, 体系的波函数