两步法生长氮化铝中缓冲层和外延层工艺研究.pdfVIP

中国科学 E 辑 : 技术科学 2008 年 第 38 卷 第 7 期 : 1080 ~ 1084 SCIENCE IN CHINA PRESS 两步法生长氮化铝中缓冲层和外延层 工艺研究 ① ①∗ ① ① ① ① ① 刘启佳 , 张荣 , 谢自力 , 刘斌 , 徐峰 , 姚靖 , 聂超 , ① ① ① ② 修向前 , 韩平 , 郑有炓 , 龚海梅 ① 南京大学物理系光电信息功能材料江苏省重点实验室, 南京 210093; ② 中国科学院上海技术物理研究所, 上海 200080 * E-mail: rzhang@ 收稿日期: 2007-01-24; 接受日期: 2007-02-27 国家重点基础研究发展规划 973 项目(批准号: 2006CB6049)、国家高技术研究发展规划、国家自然科学基金(批准号: 6039072,、高等学校博士学科点专项科研基金(批准号: 20050284004)和江苏省自然科 学基金项目(批准号: BK2005210)资助 摘要 研究了利用有机化学气相沉积外延方法在c 面宝石(α- Al O )衬底 关键词 2 3 上两步法外延生长的氮化铝薄膜. 缓冲层采用氮化铝成核层. 原位反射谱 氮化铝 表明氮化铝成核过程有别于氮化镓缓冲层成核, 在优化的条件下显示出单 MOCVD 反射谱 一晶面取向. 同时, X射线衍射分析表明氮化铝初始成核过程中, 缓冲层存 XRD 在着压应变; 随着成核时间的增加及退火, 压应变逐渐得到驰豫. 结合透 透射光谱 射光谱分析发现, 在外延层的生长过程中, 较高的的V/III 比能够提高氮化 铝薄膜的晶体质量, 但是生长速率下降, 可能是由于三甲基铝与氨气的寄 生反应加剧造成的; 另外, 对氮化铝外延层进行适度的Si掺杂能够在一定 程度上改善薄膜表面形貌. 作为宽能隙直接能带半导体材料, 氮化铝(A1N)具有很高的介电常数(9.0), 较宽的禁带宽 度(6.2 eV), 较大的表面声波速率(5.67 km ·s− 1), 很强的压电效应和良好的热传导性, 这使AlN 在制备蓝光到紫外光波段的发光二极管(LED), 激光二极管(LD), 高温、高频及大功率电子器 件以及GHz级表面波器件方面有着广阔的应用前景. 因此, 高质量AlN单晶薄膜的制备迅速成 为人们研究的热点. 目前, AIN薄膜的制备方法主要有脉冲激光沉积(PLD)、射频反应溅射、电 子回旋共振等离子增强分子束外延(ECR-PEMBE) 及金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等方 法. 其中, MOCVD 的两步外延生长是目前常用的制备方法之一. 但是, 由于在生长过程中Al 1080 中国科学 E 辑: 技术科学