霍尔传感器A44E的介绍及其应用.pdfVIP

电子竞赛专用A44E 原理及其应用 霍尔传感元器件及A44E 介绍 1 引言 霍尔器件是一种磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场 有关的场合中使用。霍尔器件以霍尔效应为其工作基础。 霍尔器件具有许多优 点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可 达 1MHZ ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。霍尔线性 器件的精度高、线性度好；霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖 动、无回跳、位置重复精度高 （可达 ¦Ìm 级）。取用了各种补偿和保护措施的霍 尔器件的工作温度范围宽，可达－55℃～150℃。 按照霍尔器件的功能可将它们分为:霍尔线性器件和霍尔开关器件。前者输出 模拟量，后者输出数字量。 按被检测的对象的性质可将它们的应用分为:直接应用和间接应用。前者是直 接检测出受检测对象本身的磁场或磁特性，后者是检测受检对象上人为设置的磁 场，用这个磁场来作被检测的信息的载体，通过它，将许多非电、非磁的物理量 例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、 转速以及工作状态发生变化的时间等，转变成电量来进行检测和控制。 2 霍尔效应和霍尔器件 2.1 霍尔效应 如图1 所示，在一块通电的半导体薄片上，加上和片子表面垂直的磁场B， 在薄片的横向两侧会出现一个电压，如图1 中的VH，这种现象就是霍尔效应， 是 由科学家爱德文· 霍尔在 1879 年发现的。VH 称为霍尔 电压 。 这种现象的产生，是因为通电半导体片中的载流子在磁场产生的洛仑兹力的作用 下，分别向片子横向两侧偏转和积聚，因而形成一个电场，称作霍尔电场。霍尔 电场产生的电场力和洛仑兹力相反，它阻碍载流子继续堆积，直到霍尔电场力和 洛仑兹力相等。这时，片子两侧建立起一个稳定的电压，这就是霍尔电压。 在片子上作四个电极，其中C 1、C2 间通以工作电流I，C 1、C2 称为电流电极， C3、C4 间取出霍尔电压VH，C3、C4 称为敏感电极。将各个电极焊上引线，并 将片子用塑料封装起来，就形成了一个完整的霍尔元件 （又称霍尔片）。 (1) (2) (3) 在上述 （1）、（2 ）、（3 ）式中VH 是霍尔电压，¦Ñ是用来制作霍尔元件的材 料的电阻率，¦Ìn 是材料的电子迁移率，RH 是霍尔系数，l、W 、t 分别是霍尔元 件的长、宽和厚度，f(I/W)是几何修正因子，是由元件的几何形状和尺寸决定的， 河南科技学院电子竞赛培训资料整理―――songfei002 1 Ò³ 1 电子竞赛专用A44E 原理及其应用 I 是工作电流，V 是两电流电极间的电压，P 是元件耗散的功率。由(1)～(3)式可 见，在霍尔元件中，¦Ñ、RH、¦Ìn 决定于元件所用的材料，I、W 、t 和f(I/W)决定 于元件的设计和工艺，霍尔元件一旦制成，这些参数均为常数。因此，式(1)～(3) 就代表了霍尔元件的三种工作方式所得的结果。(1)式表示电流驱动，(2)式表示 电压驱动，(3)式可用来评估霍尔片能承受的最大功率。 为了精确地测量磁场,常用恒流源供电,令工作电流恒定,因而,被测磁场的磁感应 强度B 可用霍尔电压来量度。 在一些精密的测量仪表中，还采用恒温箱，将霍 尔元件置于其中，令RH 保持恒定。 若使用环境的温度变化，常采用恒压驱动， 因和 RH 比较起来，¦Ìn 随温度的变化比较平缓，因而 VH 受温度变化的影响较 小。 为获得尽可能高的输出霍尔电压 VH，可加大工作电流，同时元件的功耗 也将增加。(3)式表达了VH 能达到的极限——元件能承受的最大功耗。 2.2 霍尔器件 霍尔器件分为:霍尔元件和霍尔集成电路两大类，前者是一个简单的霍尔片， 使用时常常需要将获得的霍尔电压进行放大。后者将霍尔片和它的信号处理电路 集成在同一个芯片上。 2.2.1 霍尔元件 霍尔元件可用多种半导体材料制作，如Ge、Si、InSb 、GaAs 、InAs、InAsP 以及多层半导体异质结构量子阱材料等等。 InSb