600V新型槽栅内透明集电极IGBT的仿真研究.docVIP

  600V 新型槽栅内透明集电极 IGBT 的仿真 研究# 贾云鹏，张惠惠，胡冬青，吴郁，周新田，穆辛* 5 10 15 20 25 30 35 40 （北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京，100124） 摘要：针对低压透明集电极绝缘栅双极晶体管（ITC-IGBT）制造难度高的问题，基于内透 明集电极（ITC）技术，将点注入局部窄台面（PNM）槽栅结构应用于 IGBT 中，提出一种 600 V 新型槽栅内透明集电极 IGBT。采用仿真工具 ISE-TCAD，对 PNM-ITC-IGBT 的导通 特性、开关特性、短路特性等进行仿真，重点侧重研究局域载流子寿命控制层的位置及其内 载流子寿命的影响，并与普通槽栅内透明集电极 IGBT 进行对比。结果表明新结构具有较低 的通态压降和关断损耗，尤其在短路特性方面，极大改善了槽栅 IGBT 的抗烧毁能力，且局 域载流子寿命控制层的位置和寿命存在最佳范围。 关键词：绝缘栅双极晶体管（IGBT）；内透明集电极（ITC）；槽栅；点注入；局部窄台面 （PNM） 中图分类号：TN32 Simulation of a 600 V Novel Trench ITC-IGBT JIA Yunpeng, ZHANG Huihui, HU Dongqing, WU Yu, ZHOU Xintian, MU Xin (School of elect