Ca(Mg1_3Ta2_3)O3薄膜的结构与介电性能.docVIP

  Ca(Mg1/3Ta2/3)O3 薄膜的结构与介电性能# 曹越1，沈杰1,2** （1. 武汉理工大学材料科学与工程学院，武汉 430070； 5 10 15 20 25 30 35 2. 武汉理工大学特种功能材料教育部重点实验室,武汉 430070） 摘要：用 Pechini 法通过不同次数涂覆成功制备了不同厚度的 Ca(Mg1/3Ta2/3)O3 均质薄膜，并 用平行板电容器法测量了 Ca(Mg1/3Ta2/3)O3薄膜介电性能。薄膜厚度随着涂覆次数增多而增加， 同时其晶粒尺寸逐渐增大，表面粗糙度降低。由于热处理次数的增多，界面死层影响减弱,CMT 薄膜电容器的介电常数增加至 19.6(320nm 时);在 CMT 厚度为 320nm 时,介电损耗最小为 0.023. 关键词：Ca(Mg1/3Ta2/3)O3；介电薄膜；热处理；界面死层 中图分类号：TB34 TB43 The structure and dielectric properties of Ca(Mg1/3Ta2/3)O3 thin films CAO Yue1, SHEN Jie1,2 (1. School of Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070; 2. Key Labora