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No．1
第32卷第1期 中南民族大学学报(自然科学版) V01．32
ofSouth—Central for Mar．2013
2013年3月 Journal Nationalities(Nat．Sci．Edition)
University
基片温度门砸J『灵对镓钛共掺杂氧化锌
透明导电薄膜性能的影响
钟志有，张 腾，汪 浩
(中南民族大学电子信息工程学院，武汉430074)
摘要以镓钛共掺杂氧化锌(GTZO)陶瓷靶作为溅射源材料，采用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了GTZO
透明导电薄膜，通过X射线衍射仪(XRD)、可见一紫外光分光光度计和四探针仪等测试表征，研究了基片温度对
GTZO薄膜晶体结构、电学性质和光学性能的影响．结果表明：所制备的GTZO薄膜均为六角纤锌矿结构，并具有
(002)择优取向，其结晶质量、晶粒尺寸、方块电阻、透过率、光学能隙以及品质因数都与基片温度密切相关，当基片
温度为350oC时，GTZO薄膜的品质因数最大，具有最佳的光电综合性能．
关键词氧化锌薄膜；掺杂；光电性能
中图分类号TM914文献标识码A文章编号1672-4321(2013)01-0058-07
of
InfluenceSubstrate on of
Temperature Transparent
Properties
GalfiumandTitaniumZincOxideThinFilms
Conducting Doped
Zhong Hao
Zhiyou，Zhang死粥，Wang
ofElectronicInformation for
(College Engineering，South-CentralUniversityNationalities，Wuhan430074，China)
AbstractGalliumandtitanium zinc filmswere
doped oxide(GTZO)thin magnetron
depositedbyradio—frequency
a sinteredceramic of and
method influencesubstrate on
sputteringusing target．The temperaturecrystalline，optical
electrical ofGTZOfilmswas and transmission
properties investigatedbyX—raydiffraction(XRD)，four—pointprobeoptical
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