椭球量子点中施主杂质的三阶非线性光学极化率.pdfVIP

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第12卷第2期 广州大学学报(自然科学版) V01.12N。.2 2013年4月 Journalof Seience GuangzhouUniversity(NaturalEdition) Apr. 2013 ::=:: 文章编号:1671-4229(2013)024)010-05 椭球量子点中施主杂质的三阶非线性光学极化率 解文方 (广州大学物理与电子工程学院,广东广州510006) 摘要:在有效质量近似下,采用变分方法,研究椭球量子点中施主杂质的非线性光学性质.基于计算能量和 波函数,以典型的半导体材料砷化镓为例,讨论椭球量子点的几何尺寸和各向异性度对施主杂质的三阶非线性 极化率的影响.结果显示这些因素对椭球量子点中施主杂质的非线性光学性质有强烈的影响. 关键词:施主杂质;量子点;半导体 中图分类号:0471 文献标志码:A Third—order nonlinear ofadonor optical susceptibility in dots impurityellipsoidalquantum XIE Wen-fang andElectronic (SchoolofPhysics Engineering,GuangzhouUniversity,Guangzhou510006,China) thevariation Abstract:Byusing methodwithintheeffectivemass have the approximation.we investigated third-order third of harmonic associatedwithadonor confinedinan susceptibility generation impurity ellipsoidal dot.With GaAs-based quantum materials.theeffectsofthe sizeandthede. typicalsemiconducting geometrical of onthethird—order havebeen greeanisotropy examinedbasedOilthe

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