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第34卷第6期 发 光 学 报 V01．34No．6
2013年6月 CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCEJune，2013
文章编号：1000-7032(2013)06-0727-05
TiN(001)表面上3N1TilSi岛构型及
其演变的第一性原理研究
刘学杰+，吴 帅，任 元
(内蒙古科技大学机械工程学院，内蒙古包头014010)
岛的各构型的总能量和吸附能，并计算了Si．in．3N1Ti构型转向Ti—in．3N1Si构型的两种演变方式所对应的激
活能。计算结果表明：在3NITilSi的几种构型中，Ti．in．3NISi构型是最低能量的稳定结构，这种构型是由SiN
相从TiN相中分离出来而形成的：两种演变方式中以Si粒子迁出Ti粒子迁入所需构型演变的激活能较小，更
适当增加氮分量有利于SiN与TiN的分离。
关键词：界面形成条件；相分离；构型演变；激活能；第一性原理
中图分类号：TB332 文献标识码：A DOI：10．3788／fgx0727
Evolutionof3N1TilSiIslandon
and
Configuration
Initio
TiN(001)Surface：AbStudy
LIU Yuan
Shuai，REN
Xue-jie‘，WU
(SchoolofMechanical MongoliaUniversityofScienceTechnology，Bootou014010，China)
Engineering，Inner
}CorrespondingAuthor，E-mail：xuejieliu2000@yahoo．corn
in ofTi-Si-N seriesof
orderto theinterfaceformationthe
Abstract：In films，a
study growthprocess
calculationshavebeencarriedoutwiththefirst methodto thetotal and
principle investigateenergies
ofsome3N1TilSiisland onthe alsothe
adsorptionenergies configurationsTiN(001)surface，and
Ti theTi—in．
activation oftwokindsoftransf(，rmationsfromtheSi．in．3N1 to
energies configuration
3N1Si calculationssome
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