70MW多晶硅太阳能_电池片生产线设计方案.doc

70MW多晶硅太阳能电池片 参考设计方案  第一部分： 第二部分： 第三部分： 第四部分： 第部分 生产线整线方案概述 整工艺路线如下： 整线技术规格进料硅片规格 P型多晶，≥99.9999%； ◆尺寸156mm×156mm，0±20μm。 2．2 电池片规格 制绒 扩散 工艺程 技术规格 156mm×156mm） 2．3 湿法刻蚀 PECVD镀膜 cm3，平均电子能量可达1～10ev。由于等离子体存在，促进气体分子的分解、化合、激发和电离，促进反应活性基团的生成，从而降低沉积温度。PECVD在200℃～500℃范围内成膜，远小于其它CVD在700℃～950℃范围内成膜。由于在氨气条件下，提高了活性基因的扩散能力，从而提高薄膜的生长速度和均匀性。在沉积过程中，由于大量的氢存在，起到表面钝化作用。目前在太阳电池行业主要用PECVD设备来淀积氮化硅减反射钝化膜。 氮化硅膜不仅仅有优良的光学性能如折射率接近太阳电池所需的最佳折射率，且有良好的绝缘性、致密性、稳定性和对杂质离子的掩蔽能力。 工艺程 技术规格 156mm×156mm） ； (3) 表观：深蓝色，色调均一。 2．5丝网印刷 该工艺采用全自动丝网印刷机完成背电极、背场、正面栅极的印刷及相应工序的烘干。 工艺流程 技术规格 2．6 烘干/烧结 该工艺采用红外加热的干燥/烧结一体炉对印刷电极后的电池片进行烘干、烧结，以形成良好的电极接触。 工艺流程 技术规格： 2．7测试分档 检测标准分选标准按效率分档，； 第三部分： 技术规格书MW生产线明细。 全自动清洗制绒设备闭管式扩散扩散是半导体器件制造的基本工艺步骤，对晶体硅太阳能电池制造来说，经扩散形成的P-N结是其“心脏”。因此扩散的质量，就强烈地影响到电池的电性能。在传统的开管磷扩散工艺中，采用的是过量的掺杂源扩散方式。该方式POCL3源的消耗量大，从而导致副产物偏磷酸、HCL蒸汽、CL2量特别多。不仅损伤设备而且对人体、环境也产生较大危害。 闭管扩散（洁净扩散）与外界环境完全隔离。工艺过程不受外界环境变化的干扰，因此扩散质量大大提高，单批次产量可达400片/批，并且特别节源、节能、节约工艺气体，有毒害工艺副产物生成量大大降低;采用尾气定向收集排放的方式，使整个生产过程更加清洁、环保、卫生。悬臂桨执行完装取舟后退出石英管，从而避免了悬臂桨长时间下的高温烘烤和杂质的污染，大大地延长了桨的使用寿命和维护周期。该设备拥有超长恒温区、高精度温度控制等多项技术，整体性能。350mm（适应石英管内径φ320mm）。 净化台洁净度：100级（10000级厂房）。 自动化程度：自动控制温度及工艺过程。另外除插片为导片机插片或人工外，关闭炉管、SiC浆的进出等都是自动控制模式 工艺过程由工控计算机全自动控制，直接在触摸屏上操作。 具有自动斜率升降温功能。 送取片方式：悬臂式软着陆推拉舟。 设备噪音≤65dB。 设备满足放置在万级洁净区之相关规范。在万级厂房净化台净化等级达到100级。 热学数据： 工作温度： 温区精度及长度(静态闭管测试)： 600℃＜工作温度＜1100℃： 400℃≤工作温度≤600℃： 单点温度稳定性(静态闭管测试 )： 温度斜变能力： 1.可控升温速度： 2.最大降温速度 (1100～1000℃ ) ： 3.升温时间：~1100℃ 1300mm / ±0.5℃ 1300mm /±1℃ ≤±1℃/24h ≥15℃/min 5℃/min 从室温到℃60min 气路系统： 气体流量设定精度： 气路系统气密性： ±0.5％FS（采用数字式质量流量计） 1×10-7pa.m3/s 能耗值： 三相五线制： 最大升温功率： 保温功率： 冷却水： 压缩空气： 380V±10%，50Hz±1Hz； 48KVA/每管 24KVA/每管； 2～4Kgf/cm2， 2～8L/min 4～6Kgf/cm2 送料装置技术参数： 驱动方式： 传动方式： 行程： 定位精度： 速度： SiC浆承载能力： 型式： 伺服电机驱动 丝杠传动 2000mm ≤±1mm 20~1000mm/min ≥17Kg 手工装片，高纯碳化硅浆 - 加速控制特性： 软启动/停止 在工控机中能无级调速并显示。 炉口中心高度：(对地) 上管 1960mm 中管 1440mm 下管 920mm 外形尺寸：(单位mm)（长×宽×高） 气源柜： 1020×1200×2450mm 扩散炉：(含排毒箱)