一维光子晶体完全光子禁带与结构的关系.pdfVIP

234 功 能 材 料 2004 年增刊 （35 ）卷 一维光子晶体完全光子禁带与结构的关系 ∗ 陈慰宗，付灵丽，李绍雄 （西北大学物理系，陕西 西安 710069 ） 摘 要：阐述了完全光子禁带的概念。用光学特征矩 可见光波长量级。但是一维光子晶体是否具有类似于 阵方法，通过数值模拟计算，讨论了一维光子晶体出 二、三维光子晶体的完全光子禁带是值得深入研究的 现完全光子禁带与晶体结构和介质材料的折射率的 问题。所谓完全的光子禁带是指在一个确定的频率范 密切关系。具体计算了用同样两种介质材料组成3 种 围内，任何方向入射任何模式的电磁波（TE 波或TM 不同结构的一维光子晶体，对于TM 及TE 电磁模式 波）均不能在光子晶体中传播。对于没有吸收损耗的 在不同入射角下的透射率谱，从中找出它们的完全光 材料构成的晶体，在其完全光子禁带中，任何模式的 子禁带，发现3 种结构的完全光子禁带的波长范围及 电磁波在各个方向的透射率为 0 ，反射率为 1，这种 宽度各不相同。另外，研究结果表明组成光子晶体的 一维光子晶体又称为全方位反射镜，它弥补了金属反 两种材料的折射率差别越大，两种电磁模的禁带越 射镜和介质反射镜的不足，实现了低损耗、全角度反 宽，越容易产生完全光子禁带。简单讨论了完全光子 射。具有完全光子禁带的光子晶体可广泛应用于微波 禁带出现的条件。 天线、透射光栅、光波导等器件，具有广阔的应用前 关键词：一维光子晶体；完全光子禁带；晶体结构； 景。 折射率 一般说来，周期性的结构都可以产生光子禁带， 中图分类号：O4728 文献标识码：A 但完全的光子禁带只有在一定的条件下实现，这个条 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊-0234-04 件与晶体的结构密切相关。本文利用数字模拟计算的 方法讨论了在有限周期组成的一维光子晶体中，完全 1 引 言 光子禁带与晶体的结构参数的关系。 自从1987 年E.Yablonovitch[1] 和 S.John[2] 分别 2 光子禁带随入射电磁波模式及入射 独立地提出光子晶体和光子能带结构以来，光子晶体 角的变化 在理论、实验和应用研究方面取得了很大的进展。 1999 年底，光子晶体被美国《Science 》杂志评选为 一维光子晶体是由折射率不同的介质薄层周期 十大重大科学进展的领域之一，预示着21 世纪将是 性叠置而成的分层结构，电磁波在一维光子晶体中的 一个光子的世纪。 传播可以用特征矩阵[4]来描述。根据特征矩阵计算公 光子晶体几乎不存在于自然界中，它是一种人工 式可知一维光子晶体的透射率与其结构参数有关，同 制备的、折射率在空间周期性变化的光学材料。目前 时还与入射电磁波的模式及入射角有关。分别计算出 制造三维光子晶体是不容易的，由于控制介电常数的 TE 模和TM 模电磁波以不同角度入射时的禁带位置。 空间变化精度高于光波长的数量级是很难的。在很多 取两种介质周期性排列组成的一维光子晶体，第 应用中，如控制光束的传播，使用一维光子晶体就可 一种介质是聚苯乙烯，折射率为 n1=4.6 ，光学厚度 以了[3