真空电弧沉积薄膜显微硬度与工艺参数的关系.pdfVIP

第 23 卷 　第 4 期 　　　　　　　　　　　　　　　机 械 科 学 与 技 术 　　　　　　　　　　　　　　　Vol. 23 　No. 4 2004 年 　　4 月 　　　　　　　　　　MECHANICAL SCIENCE AND TECHNOLOGY　　　　　　　　　　April 　2004 ( ) 文章编号 2004 真空电弧沉积薄膜显微硬度与工艺参数的关系 李 　亮 ,程仲元 ,王 　珉 (南京航空航天大学 机电学院 ,南京 　210016) 李 　亮 ( ) 摘 　要 :测试了各种工艺条件下真空电弧沉积 VAD 的 TiN 薄膜的显微硬度 ,并研究了 TiN 薄膜硬度随基材、电弧电 流、基片温度、氮气压力及负偏压的变化。实验结果表明 :在多数基材上 ,薄膜硬度均接近或超过 20 GPa ,且薄膜的 硬度与基材的硬度不呈比例关系 ,TiN 薄膜的硬度随电流的增加有减少的趋势 ;在相当宽的温区内 ,TiN 薄膜的硬度 随温度上升而增大 ,而且在高温下的硬度值比低温时稳定 ,总体上 ,VAD 比其它离子镀具有更宽阔的 T 区;在氮气 压力为 0. 1 Pa～1 Pa 的区域内 ,TiN 薄膜的硬度稳定在20 MPa 以上,而且适当的负偏压有利于提高 TiN 薄膜的硬度。 关 　键 　词 :显微硬度 ; 电弧离子镀;TiN 薄膜 中图分类号:TB43 　　　文献标识码 :A Study on Microhardness of Coatings Prepared by Vacuum Arc Deposition Versus Process Parameters LI Liang , CHENG Zhongyuan , WANG Min (Nanjing University of Aeronautics and Astronautics , Nanjing 210016) Abstract : We measured the microhardness of titanium nitride films obtained by vacuum arc deposition , and studid the relationship between the microhardness and the process Parameters such as substrate material , arc current , substrate temperature , partial pressure of nitrogen and substrate bias. The results show that the micro hardness of TiN films exceeds 20GPa on most substrates. The microhardness decreases with increasing arc cur rent due to the contamination of macro particles. But it increases with substrate temperature in a wide range and is more stable when the nitrogen pressure is in the range of 0. 1 Pa～2 Pa , the microhardness of the TiN films is over 20MPa with further improvements at proper substrate bias. Key