硅基纳米β-SiC量子点列阵的制备.pdfVIP

第2 卷 第4 期 过 程 工 程 学 报 Vol.2 No.4 2002 年 8 月 The Chinese Journal of Process Engineering Aug. 2002 硅基纳米β-SiC 量子点列阵的制备 吴兴龙， 顾 沂， 鲍希茂 (南京大学固体微结构物理国家重点实验室及物理系，江苏 南京 210093) 摘 要：报道了用两步自组装法制备硅基纳米碳化硅量子点列阵. 先将两种硅烷偶联剂均匀有序 地偶联到洁净的单晶硅片上，其中一种偶联剂能打破C60 上的碳碳双键而使C60 通过偶联剂均匀有 序地分布在硅片的表面上. 然后用夹心法或覆盖法将样品在900oC 的氮气氛中退火20 min ，使C60 分解成活性碳，与周围的硅原子结合生成碳化硅，碳化硅分子的自组装形成了碳化硅纳米晶粒(量 子点) ，C60 在硅表面的有序排列导致了纳米碳化硅量子点列阵形成. 关键词：硅基碳化硅量子点；自组织生长 中图分类号：TN303 文献标识码：A 文章编号：1009−606X(2002)04−0301−04 1 前 言 随着纳米电子学和光电子学的发展，最近几年人们已经把大量的精力集中到研究硅基有序排 列的纳米半导体量子点结构上. 有序量子点结构的发光特性充分体现着纳米光源的性质，在发展纳 米光电子集成方面将有重要意义. 目前已发展了多种技术和方法，如离子束或电子束光刻制备一 维、二维和三维的量子点列阵[1] ，但是分子或原子自组装技术却展示了许多令人满意的优点，优点 之一是经过合适的处理，其量子点尺寸能够控制在几纳米之内. 碳化硅是一种宽带隙半导体材料，仅在低温下有蓝光发射，由于间接带隙的特征，发光效率 很低. 有人试图用电化学腐蚀的方法像制备多孔硅一样在单晶碳化硅衬底上制备多孔碳化硅，获得 [2] [3] 了蓝光发射 ，但这种方法没有抛弃电化学腐蚀与硅平面工艺不相兼容的缺点. LIAO 等 曾用碳离 子注入硅然后退火的办法制备了纳米碳化硅晶粒镶嵌薄膜，但是由于晶粒太大，不能有效地展示 量子限制效应，因此未能获得蓝光发射，后用电化学腐蚀制备了多孔碳化硅薄膜，获得了强的稳 定的蓝光发射. 此后进一步通过用二氧化硅包封的办法为碳化硅提供有效的限制势垒，由此获得了 稳定有效的蓝光发射. Moro 等[4]在Si(100)上沉积C60 膜，并对其退火，退火过程中C60 与Si 反应 o 生成了β−SiC，这种薄膜没有蓝光发射，但可在较低温度(800∼1000 C)下获得SiC 薄膜. 本文在上 述工作的基础上，采用自组装单层膜(SAM)技术，在硅片上制备了硅基纳米β−SiC 量子点列阵，研 究了其光致发光特性，并对发光机理作了初步探讨. 2 样品制备 样品制备包括两个阶段：第一阶段用自组装单层膜(self-assembled monolayer, SAM)技术将C60 [5] 偶联到硅片上 ，具体过程为：将硅片浸在 1%(ω)HF 溶液中1 min ，去掉硅片表面的自然氧化层， 清洗后浸在含HF 的硫酸水溶液中进行亲水化处理，在硅片表面形成−OH 和−F 键，然后用去离子 水反复冲洗，使−F 键变成−OH 键. 将带有−OH 键的硅片浸入含有两种偶联剂[NH (CH ) Si(OCH ) 2 2 3 3 3 收稿日期：2002−01−14，修回日期：2002−03−04 基金项目：国家自然科学基金资助项目(编号: 作者简介：吴兴龙(1964−) ，男，浙江宁波人，博士，教授，从事硅基纳米半导体发光材料研究；顾沂(1975−) ，男，硕士，现为上