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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 征文通知(第一轮) 由中国电子学会半导体与集成技术分会和电子材料分会主办，中国科学院半导体研究所 承办的“第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议”定于 2006 年下半 年在南方或北方某边境城市召开。会议期间将召开中国电子学会半导体与集成技术分会第七 届全体委员会议，并邀请港、澳、台地区及国外华人专家学者参会。 近年来，化合物半导体材料、微波器件和光电器件科学技术取得了较大进展，在现代通 信、航空航天、军事技术及信息科学技术领域得到了广泛的应用。全国化合物半导体材料、 微波器件和光电器件学术会议是每两年举行一次的全国性重大学术会议。本次会议将展示该 领域中化合物半导体材料生长、器件与电路设计、制造工艺及其应用等方面的发展与最新成 就，探讨国际上化合物半导体、微波器件和光电器件的现状和发展趋势。其目的是为全国在 该领域从事研究、教学、生产和应用的科技人员和管理人员提供一个学术与技术交流的机会， 以增进交流，促进合作，加快发展，推进我国该领域的科学技术进步和产业发展。热忱欢迎 广大学者和科技人员踊跃投稿，同时欢迎相关产品、设备和仪器制造领域的科技人员参加交 流。 一、 征文内容： 1 、 GaAs 、InP 等化合物半导体材料、微波器件及光电器件； 2 、 宽带隙化合物半导体（GaN、SiC 和 ZnO 等）材料、性质及器件应用； 3 、 硅基异质结构材料（如 GeSi/Si、GaN/Si 等）制备、器件及其光电集成技术； 4 、 纳米（低维）半导体材料、性质及量子器件； 5、 磁性半导体材料的制备、性质及器件应用； 6 、 化合物半导体微波器件和微波集成电路的设计、制造工艺和测试； 7 、 化合物半导体光电器件和光电集成电路的设计、制造工艺和测试； 8 、 化合物半导体微波器件及光电器件制造的其它相关技术，如耦合封装等； 9 、 化合物半导体微波器件和光电器件的可靠性和失效分析； 10、 化合物半导体微波器件和光电器件及系统的应用； 1 11 、 新型化合物半导体材料制备、性质及器件应用； 12 、 化合物半导体材料的微结构、表面、界面行为以及生长动力学研究； 13 、 化合物半导体和薄膜材料的先进生长设备和测试分析仪器研制； 14 、 化合物半导体和器件制备相关的基础材料（如金属有机源、高纯金属源、高纯工 艺气体等）； 15 、化合物半导体和薄膜材料的表征和测试分析技术； 16 、 半导体白光照明材料、器件及应用技术； 17、 其它（如稀土、有机半导体等）半导体材料、性质及器件应用； 18、化合物半导体敏感材料、制备、表征及应用； 19、化合物半导体微、纳电子及光电子器件制造、表征及应用。 二、 论文要求： 1 、 论文要力求反映国内外最新研究方向和成果，要主题突出，内容层次分明，数据准确， 论述严谨，结论明确，采用法定计量单位，且尚未在国内外公开刊物或其它学术会议上发表 过。 2 、除印刷会议文集外，本次会议征集到的优秀稿件将收入到国家一级刊物《半导体学报》。 为保证质量，希望投稿者务必严格按照论文格式要求撰写。论文一律采用A4 纸隔行激光打 印。打印顺序为：题目用 3 号黑体字，作者用 4 号字，单位、邮编、电子信箱、摘要、关键 2 ，包括 词等用 6 号字，正文用 5 号字。字体除题目外统一用宋体，版芯尺寸为 140x215mm 图表在内每篇论文不超过4 页（补充要求见附件：第十四届全国化合物半导体、微波器件和 光电器件学术会议论文格式）。 3 、 请提供激光打印的纸质论文一式两份，供评审用；并提供用Word97 或Word2000 编辑 的与所提供纸质论文内容格式一致的电子版论文（要求可编辑），同时发到以下（见联系人） 两个电子邮箱。请自留底稿，不论录用与否原稿一律不退。为方便联系，请随稿提供email 地址。 三、 征文截止日期： 2006 年 7 月 31 日 以邮戳为准。