量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计.pdfVIP

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2017-09-13 发布于重庆
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量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计.pdf

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第卷第期年月物理学报 ’ % %6 % ，，， )NH 1’ CN 1% SG=OFBOT %6 （） !Q$%(%6’ % #$Q# :*8: 5;R+@*: +@C@*: %6 *UIA 1 5UT? 1 +NL 1 ! # $ 量子点垂直腔面发射激光器 ! 高频响应的优化设计! 彭红玲韩勤杨晓红牛智川（中国科学院半导体研究所，北京 !#$ ）（年月日收到；年月日收到修改稿） % ’ !’ % # ( 结合垂直腔面发射激光器（）原理以及量子点增益特点，计算了有源层掺杂结构的量子点的材 )*+,- . )*+,- 料增益和带宽，发现掺杂结构可以大大提高频率特性结合激射条件和阈值特性，分析了对 $ /0 . 1 )*+,- )*+,- 结构的要求；分析了分布参数对频率特性的影响，对其外部封装提出了要求设计了高频率响应的含氧化限制层的 1 !2$ 3 量子点)*+,- 结构1 ! 关键词：量子点，垂直腔面发射激光器，微分增益，带宽 $ /0 ：， %’’ 4%’’5 6$%7 !2$ 3 光增益的 9B:? 基半导体材料主要有 ! 量子阱（）和自组织量子点 !2 引言 9B@AC:? 9B:? DE @A:? （）量子阱可以提供比大的材 D7 1 9B@AC:? @A9B:?5 ［］［］垂直腔面发射激光器（）因其自身特殊的 % $ )*+,- 料增益，但的并入又会降低发光效率，难以激 C ［］结构，具有很