dc-GD-MS测定多晶硅中关键杂质元素的相对灵敏度因子.pdfVIP

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2017-09-13 发布于重庆
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第 40 卷分析化学 (FENXI HUAXUE) 研究第期 2012 年月 Chinese Journal of Analytical Chemistry ~ : / DOI 10.3724SP.J.1096.2011.10652 dc-GD-MS测定多晶硅中关键杂质元素的相对灵敏度因子 1,2 * 2 3 2 1 刘洁钱荣斯琴毕力格卓尚军何品刚 1 2 , , , (华东师范大学上海 200062) ( 中国科学院上海硅酸盐研究所上海质谱中心上海 200050) 3 , ( 中国科学院上海光学精密机械研究所上海 201800) 摘要采用直流辉光放电质谱 (dc GD MS) 测定多晶硅中关键杂质元素的相对灵敏度因子 (RSF) 。标样制 - - , 作过程中主要是在连续通入氩气条件下将固定量的非标准多晶硅样品熔化向硅熔体中均匀掺入浓度范围 ( ), ; 为 1~30 mg/g 的关键杂质元素如 B 和P 采用快速固化法制成标样再将制成的标准样品加工成一系列适 ( )。合 GD MS 扁平池(Flat Cell) 的片状样品 20 mm 20 mm 2 mm 采用二次离子质谱法( SI MS)对标准样品中 - × × - , 。 , 关键掺杂元素进行多次定量测定取平均值作为关键杂质元素的精确含量优化一系列质谱条件后运用 , , , GD MS 对标样中关键掺杂元素的离子强度进行多次测定计算平均结果得到未校正的表观浓度利用标准 - 曲线法计算出关键杂质元素的相对灵敏度因子。 ; ; ; ; 关键词直流辉光放电质谱测定多晶硅关键杂质元素相对灵敏度因子引言 1 、