硅基碳氮薄膜及其多层膜的研究.pdf

摘 要 摘要 硅碳氮(SiCN)薄膜作为一种新型的第三代宽带隙半导体材料,具有较高 的硬度、良好的发光及场发射特性、高温抗氧化性以及抗腐蚀性和耐磨性等诸多 优点,在微电子半导体、光电子器件、平板显示器等领域有很好的应用前景,使 其成为当前材料科学领域的研究热点之一。 本论文采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD),以 SiH 、CH 、N 4 4 2 和 H 为反应气体,在 Si 111和玻璃基片上制备了 SiCN 薄膜以及 a-Si/a-SiCN 2 多层膜量子阱。实验中通过改变气源流量、衬底温度和射频功率来研究工作参数 对 SiCN 薄膜结构和性能的影响。采用 X 射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外 光谱(FTIR)、拉曼光谱(Raman)和荧光光谱(PL)等测试手段对制备的薄膜 进行了表征和性质分析。 研究结果表明,本文制备的 SiCN 薄膜为非晶态,通过控制 N 流量可实现 2 其光学?隙可调。薄膜中含有 Si-N,C-N,CN,C≡N 和 C-Si-N 等多种化学键, 表明制备的薄膜形成了复杂的网络结构。N 流量、CH 流量、射频功率和衬底 2 4 温度对 SiCN 薄膜的化学结构、沉积速率和光学性能都有影响,掺氢可以提高 SiCN 薄膜光致发光峰的强度。对 SiCN 薄膜发光机理进行了分析,并认为是由 薄膜中导带、价带与缺陷态能级间的跃迁和氧杂质引起的。小角度 X 衍射谱分 析表明制备的 a-Si/a-SiCN多量子阱具有一定的周期性和层结构。势垒(a-SiCN) 和势阱(a-Si)厚度对 a-Si/a-SiCN多量子阱的光学和电学性质都有影响,表现为: 固定垒层厚度,减小阱层厚度,材料的光学?隙增大,光致发光峰蓝移;固定阱 层厚度,减小垒层厚度,材料的光学?隙增大,光致发光峰蓝移,该现象是由材 料的量子限制效应引起的; a-Si/a-SiCN 多量子阱垂直膜面方向的电导率比碳氮 化硅单层膜的电导率高出将近 5个数量级,体现出明显的量子限制效应。 关键词:SiCN 薄膜;PECVD;多量子阱;光致发光;量子限制效应I摘 要 Abstract Silicon carbon nitride SiCN thin film is a new type of third generation wide band-gap semiconductor materials, it has many good properties,such as high hardness,good luminescence and field emission propertie, anti-oxidation at high temperature, anti-eorsion and wear resistane,and so on. It has bright prospect in the field of micro-electron semiconductor,opto-electronics and flat panel displays, the research on it has become a hot piont in the field of the materials scienceIn this article, we used the SiH , CH , N and H as reacted gas to grow the SiCN 4 4 2 2 thin films and a-Si/a-SiCN multiple quantum wells structures on the silicon111 and quartz by plasma enhanced chemical vapor deposition PECVD. Influence of processing parameters on the structure and properties of SiCN films was discussed adopting various flow of reacted gas、substrate temperature and Rf power in our experiment. The films were characterized by X-Ray diffraction XRD, Fouriertransform infrared spectroscopy FTIR, Raman spectra(Raman)and fluorescence spectroscopy(PL)et alThe results indicated that the str