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物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 60 ，No. 1 (2011) 017205
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场板抑制GaN 高电子迁移率晶体管电流崩塌的机理研究
毛 维1) 杨 翠2 ) 郝 跃1) 张进成1) 刘红侠1) 马晓华2 ) 王 冲1) 张金风1)
杨林安1) 许晟瑞1) 毕志伟1) 周 洲1) 杨 凌1) 王 昊1)
1)( ， ， 7 1007 1)
西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安
2 )( ， 7 1007 1)
西安电子科技大学技术物理学院 西安
(20 10 7 3 ;20 10 8 10 )
年 月 日收到 年 月 日收到修改稿
GaN (HEMTs)、 GaN HEMTs
通过实验和数值器件仿真研究了钝化 高电子迁移率晶体管 栅场板 和栅源双层场
GaN HEMTs ， 、
板 电流崩塌现象的物理机理 建立了电流崩塌强度与帽层中载流子浓度 陷阱电离率和电场的内在联
. ， ， ，
系 研究结果表明 场板可以有效调制帽层中横向和纵向电场的强度分布 并可有效调制纵向电场的方向 减弱栅
， ， ，
极附近电场强度 增加场板下方电场强度 这会减弱栅极附近自由电子的横向运动 增强场板下方自由电子的纵向
， ， ， .
运动 进而可以有效调制帽层中自由电子浓度的分布 提高陷阱的电离率 减小器件的电流崩塌
: ， ， ，
关键词 电流崩塌 钝化器件 场板器件 陷阱电离率
PACS :72 . 80 . Ey ，73 . 40 . Qv
、 ，
载流子浓度 陷阱电离率和电场的内在联系 揭示
1. 引 言 了场板抑制电流崩塌的内在物理机理.
， (field-plate ) GaN HEMTs
近几年 场板 结构在 2 . 器件样品与实验
，
器件中的应用研究成为了国际上一个热点领域 将场
HEMTs .
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