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第32卷 第6期 固体电子学研究与进展 Vo1．32，No．6
2012年 12月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Dec．，2012
pMOS器件NBTI界面电荷引起耦合的数值模拟分析’
曹建民 贺 威 张旭琳 黄思文
(深圳大学电子科学与技术学院，广东，深圳，518060)
2012—05—28收稿 ，2012—06—15收改稿
摘要：从二维模拟pMOS器件得到沟道空穴浓度和栅氧化层 电场，用于计算负栅压偏置温度不稳定性NBTI
(Negativebiastemperatureinstability)效应的界面电荷的产生，是分析研究NBTI可靠性问题的一种有效方法。首
先对器件栅氧化层 ／硅界面的耦合作用进行模拟，通过大量的计算和已有的实验 比对分析得出：当NBTI效应界面
电荷产生时，栅氧化层 电场是增加了，但并没有使界面 电荷继续增多，是沟道空穴浓度的降低决定了界面电荷有所
减少 (界面耦合作用)；当界面 电荷的产生超过lO ／cm 时，界面的这种耦合作用非常明显，可以被实验测出；界面
耦合作用使NBTI退化减小，是一种新的退化饱和机制，类似于 “硬饱和”，但是不会出现强烈的时间幂指数变化。
关键词 ：P沟道金属氧化物半导体器件 ；负偏压温度不稳定性 ；器件模拟 ；界面耦合
中图分类号：TN386 文献标识码 ：A 文章编号：1000—3819(2012)06—0536—06
NumericalSimulationoftheCouplingofNBTIInterface
TrapsinpM OSFETs
CAO Jianmin HEWei ZHANG Xulin HUANG Siwen
(CollegeofElectronicScienceandTechnology，ShenzhenUniversity，Shenzhen，Guangdong，518060，CHN)
Abstract：W ithoutanyassumptions，thechannelholeconcentrationandthegateoxidelayer
electricfieldaregotfrom the2D simulationofpMOSFETs，andusedtocalculatetheinterface
chargegenerationofNegativeBiasTemperatureInstability (NBTI)．Thisisaneffectivemethod
tostudyNBTIreliability．Firstall，gateoxide／siliconinterfacecouplingissimulatedandcorn-
paredwith theexistingexperimentaldata．Theanalysisresultsshow thatwhen theinterface
chargeofNBTIisgenerated，thegateoxidelayerelectricfieldwillbeincreased，butwillnot
maketheinterfacechargecontinuously increase，theinterfacechargewillbedecreasedbecause
thechannelholeconcentration isreduced (theinterfacecoupling)．Whentheinterfacechargeis
generatedmorethan10 ／cm ．theinterfacecouplingisveryobviousandcouldbemeasured．The
interface coupling effecttoreduceNBTIdegradation isakindofnew degradation saturation
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