GaAs功率单片脉冲在片测试技术研究.pdfVIP

第32卷 第6期 固体电子学研究与进展 Vo1．32，No．6 2012年 12月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Dec．，2012 、 、 射频与微波 、 GaAs功率单片脉冲在片测试技术研究 陈金远 陶洪琪h 曹敏华 吴振海 郑 华 高建峰h 张 斌 (南京电子器件研究所，南京，210016) (微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，南京，210016) 201i-i0—20收稿 ，2011—12—21收改稿 摘要：讨论了功率单片在片脉冲测试中在片校准技术、脉冲功率测试技术等难题，并在讨论以上问题的基础 上，实现工程化应用，该测试技术能够有效覆盖至40GHz。在建立的脉冲大功率在片测试系统上对输出功率典型值 5W 的GaAs功率单片放大器进行测试验证，测试结果和装架测试结果相 比较，输出功率误差O．2dB。 关键词 ：在片测试 ；脉冲功率测试 ；在片校准技术 中图分类号：TN407；TN722．16 文献标识码 ：A 文章编号：1000—3819(2012)06—0579—05 ResearchofOn-waferPulseTestingof GaAsPowerAmplifierM M IC CHEN Jinyuan TAO Hongqi’ CAOMinhua WU Zhenhai ZHENG Hua GAOJianfeng’ ZHANGBin’ (NanjingElectronicDevicesInstitute，Nanjing，210016，CHN) (ScienceandTechnologyonMonolithicIntegratedCircuitsandModulesLaboratory，Nanjing，210016，CHN) Abstract：Inthispapersomekeytechniquesofpoweramplifiermicrowavreon—wafertesting arediscussedincludingon—wafertestingcalibrationtechnique，pulsepoweron—wafertestingtech— nique，thesetechniqueshavebeenappliedto40GHzinpractice．Basedonthesetechniques，pulse on—wafertestingsystem hasbeensetup．Thedifferenceoutputpowerofa5W amplifiertested betweenbyusingon—waferplusetestingsystem and in—packagetestingsystem islessthan0．2 dB． Keywords：on—wafertesting；pulsepowertesting；onwafercalibrationtechnique EEACC ：135OF；7110 的 参数对系统设计至关重要。 — 百 开展大功率脉冲在片网络分析仪测试技术研究 的意义主要在于解决获得芯片满负荷工作的性能评 设计技术 、工艺技术、测试技术、质量控制技术 估结果、满足生产交付环节对数据的需求以及功率单 是支撑GaAs