3GHz～5GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计.pdfVIP

ApplicationofIntegrated Circuits 3GHz，、5GHzCM0S超宽带低噪声放大器设计 王宁章 ，唐江波 ，秦 国宾 ，卢安栋 ，罗婕思 (广 西大学 计算机 与电子信息学院，广西 南宁530004) 摘 要 ：提 出了一个低噪声 、高线性的超 宽带低噪声放大器 (UWBLNA)。电路 由窄带 PCSNIM LNA拓扑结构和并联低 Q 负载结构组成 ，采用TSMC0．18lxm RFCMOS工艺，并在其输入输 出端引入 了高阶带通滤波器。仿真结果表明，在 1．8V直流电压 下LNA的功耗约为 1O．6mW 。在 3GHz-5GHz 的超 宽带频段 内，增益 约为 l3．5dB，输入 、输 出回波损耗 S。、S 均小于一l4dB，噪声系数 (NF)为 0．875dB～4．072dB，三 阶交调 点 IIP3均值 为 5．35dB。 关键词 ：CMOS；超 宽带 ；低噪声放大器；高阶带通滤波器；并联低 Q值 负载结构 中图分类号 ：TN710；TN432 文献标识码 ：A 文章编号 ：0258-7998(2011)09—0053—03 Design ofa3GHz-5GHzCMOS ultra-wideband low noiseamplifier WangNingzhang，TangJiangbo，QinGuobin，LuAndong，LuoJiesi fSchoolofComputerandElectronics Information，GuangxiUniversity，Nanning530004，China) Abstract：A lOWnoisehighlinearityultra—widebandlOWnoiseamplifier(UWB LNA)ispresented．Thecircuitisconstitutedby PCSNIM LNA circuittopologyandparallellow—Q loadstructureinTSMC 0．18pLm RF CMOStechnology．andthehigh—order band—passfiltersare introduced attheinputand outputports．Simulation resultsshow thatat1．8V supplyvoltage theconsumption ofLNA isabout10．6nlW ．In the 3GHz～5GHz UWB frequency band，gain iSabout13．5dB，inputand outputretum lOSSSll、S22 iSlessthan一14dB．noisefigure(NF10．875dB～4．072dB．third—orderintereeptpointIIP3iStheaverageof5．35dB． Keywords：CMOS；ultra-wideband(UWB)；low-noiseamplifier；high—orderband—passfilter；parallellow—Qloadstructure 超带 宽 UWB(Ultra—Wideband)技术 具有 抗 干扰 能力 结构 的NF、输入输 出阻抗 匹配和功耗等指标性能较好 。 强 、传输 速 率高 、带 宽极宽 、功耗 传输 低等 优 势 ，近 年来 因此 ，本文设计思路是在 窄带 PCSNIM LNA的输入输 出 已成为 国内外 的研 究热 点 ，并在短距离传输 、高速无线 端 引入高 阶带通滤波器 ，这样 既保证 了噪声性 能 、阻抗 LAN和成像处理等领域得到 了广泛应用…。不论在传统 匹配和功耗等指标不被恶化 ，更 能拓展系统 的宽带 。实 的无线接 收结 构还 是在 UWB接 收 系统 中 ，低 噪声放 大 验 结果 表 明 ，此方 案取得 了不 错 的效 果 。 器 LNA(Low—NoiseAmplifier)作为射频前端 的关键器件 ， 1超 宽带低 噪声放 大器 (UWB LNA)的提 出 有着至关重要 的作用 。其可在尽可能低地引入额外 噪声