近空间升华法制备PbI_2厚膜及其性质研究.pdfVIP

朱兴华 等：近空间升华法制备Phi厚膜及其性质研究 近空间升华法制备Phi2厚膜及其性质研究 朱兴华 ，杨定宇 ，孙 辉 ，魏昭荣 ，李乐中 ，杨维清z，祖小涛 (1．电子科技大学 物理 电子学院，I~lJII成都 610054； 2．成都信息工程学院光电技术学院，NJrl成都 610225) 摘 要 ： 采用近 空间升华法在玻璃衬底上制备 PbI 降低噪声角度来看 ，制备具有较高结晶质量的PbI。厚 厚膜 ，研究了工艺参数对样品晶体结构、形貌和光致发 膜成为室温辐射探测器薄膜化 的关键。 目前 ，通过喷 光性质的影响。实验显示，沉积速率随着源温度 的升 射热分解 、电子束蒸发、真空热蒸发等工艺可制备 PbI。 高和沉积气压的下降而急剧增大。XRD谱表 明PbI。 多晶膜[7]，但相对于单晶体，仍存在一些共性问题，如 膜为沿[oo1]晶向择优取 向的六方多晶体，晶粒尺寸随 缺陷杂质过多，晶粒过于细小，厚度不够等缺点，严重 沉积速率的增大而逐渐减小。同时，沉积速率增大还 降低 了PbIz多晶膜 的电荷收集能力。为了得到较高 导致膜压应力变大，晶格常数减小，使 (001)晶面衍射 厚度和提高材料结 晶质量 ，本文采用近空间升华法在 峰向大角度方向移动 。SEM 照片显示样品为 (001)晶 普通玻璃衬底上制备了Phi。多晶膜 ，研究薄膜沉积条 面堆积而成的片状 晶粒结构，晶粒 C轴 与衬 底平行 。 件对样品微结构 、表面形貌及光学性质的影响。 随着沉积速率的增大，晶粒有序性和膜致密度下降，同 2 实 验 时(001)晶面上 由于六方 中心亚晶粒 的出现而导致表 面粗糙度 大幅增大。样 品的PL发光谱显示了本征发 采用近空间升华沉积装置在玻璃衬底上制备 了 射特征，发光锋随沉积速率的增大向长波方向移动，同 PbI。多晶膜 ，如图 1所示 。通过石墨片对升华源和衬 时峰位展 宽，强度减弱。 底进行间接传热 ，而上下石墨片则分别通过卤钨灯和 关键词 ： 近 空间升华法 ；PbI厚膜 ；沉积速率；压应 电阻丝直接加热，石墨片上放置热 电偶进行温度监测 。 力；六方中心；发光峰 升华源和衬底间用高纯石英垫片隔开，间距可调，本文 中图分类号 ： 0484．1 文献标识码 ：A 中固定为4ram。 文章编号：1001—9731(2011)09—1555—04 卤钨灯 1 引 言 上石吾牙 PbI2粉末 半导体辐射探测器具有较高的位置和能量分辨 村底 石英垫片 下石墨片 力 ，线性探测范围宽，已在核辐射探测、医用成像、工业 真空室 电炉 检测等领域得到广泛应用 。早期的半导体探测材料主 出气 口 进气 口 要是 Si和 Ge等单质半导体，工作时须保持在极低 的 温度下进行以降低探测噪声和提高灵敏度 ，极大地限 图l 近空间升华装置示意图 制了该类探测器的使用范围口]。近年来，一些研究显 Fig 1Schematicdiag