蓝宝石衬底的化学机械抛光技术的研究.pdfVIP

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2017-09-12 发布于山东
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蓝宝石衬底的化学机械抛光技术的研究.pdf

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第 33 卷第 3 期　　　　　　　　　　人　工　晶　体　学　报　　　　　　　　　　　Vol. 33 　 3 No. 　 2004 年 6 月　　　　　　　　　　　JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS　　　　　　　　　　　　June ,2004 蓝宝石衬底的化学机械抛光技术的研究王银珍, 周圣明 , 徐　军 ( 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海 201800) 摘要 :介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺 ,概述了化学机械抛光原理和设备 ,讨论分析了影响蓝宝石衬底化学机械抛光的因素 ,阐述了 CMP 的主要发展趋势:能定量确定最佳 CMP 工艺 ,系统地研究 CMP 工艺过程参数 ,建立完善的 CMP 理论模型 ,满足不同的工艺要求和应用领域 ,有效降低成本 ,提高产量。关键词 :蓝宝石 ;衬底 ;化学机械抛光 ( ) 中图分类号:O786 　　　　文献标识码 :A 　　　文章编号 :1000985X 2004 Research of Chemical Mechanical Polishing Technique of Sapphire Substrate WANG Yinzhen , ZHOU Shengming , XU Jun ( Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics , Chinese Academy of Sciences , Shanghai 201800 ,China) ( ) Received 10 December 2003 Abstract :Chemical mechanical polishing (CMP) technique of sapphire substrate was introduced in this paper. CMP theory and equipment were summarized. The factors that influence polishing rate and quality were emphatically discussed. The trends of CMP are as follows : CMP technology could be quantified , process parameters could be systematically studied , perfect CMP theory model could be established to meet different technological demands and applying fields , to reduce cost and enhance output. Key words :sapphire ; substrate ; chemical mechanical polishing (CMP) 1 　引　言由于蓝宝石单晶具有许多优良的特性[1 ] ,如 :硬度高、熔点高、透光性