砷化镓光导开关中流注辐射实验理论分析.pdfVIP

第3l卷 第2期 V_o1．31 NO．2 2012年 6月 成都大学学报(自然科学版) JournalofChengduUniversity(NaturalScienceEdition) Jun． 2O12 文章编号：1004—5422(2012)02—0133—03 砷化镓光导开关 中流注辐射实验理论分析 刘 鸿 ，郑 理 ，程 浩 ，杨 维 ，杨洪军 ，郑勇林 ，陈 斌 ，宋 刚 (1．成都大学 电子信息工程学院，四川 成都 610106；2．成都电子机械高等专科学校，四川 成都 611730) 摘 要：分析 了高增益砷化镓光导开关中流注一端的辐射复合实验现象，首次引入 了单色光(890砌)的辐射复 合系数，导出了流注顶部的单色光 自发辐射公式．比较理论计算结果与实验观测结果，两者很好符合，证明了流 注顶部的单色光 自发辐射模型的合理性 ． 关键词：砷化镓光导开关；流注；辐射复合系数 ；辐射模型 中图分类号：TN365 文献标识码 ：A