SETMOS实现多涡卷蔡氏电路的研究.pdfVIP

第59卷 第12期2010年12月 物摇 理摇 学摇 报 Vol.59,No.12,December,2010 1000鄄3290/ 2010/ 59(12)/ 8摇426鄄06 ACTA PHYSICA SINICA 訫2010 Chin.Phys.Soc. SETMOS实现多涡卷蔡氏电路的研究* 覮 冯朝文 摇 蔡摇 理摇 张立森摇 杨晓阔摇 赵晓辉 (空军工程大学理学院,西安摇 710051) (2009年12月18 日收到;2010年6月13 日收到修改稿) 摇 摇 基于细胞神经网络结构,利用具有负微分电阻特性的单电子晶体管与金属氧化物半导体混合结构器件 SETMOS实现了多涡卷蔡氏电路.对该电路系统的基本动力学特性(如相图、分岔图、Lyapunov指数、Poincar佴 映射 和功率谱)进行了理论分析和数值仿真,并利用电路仿真实验验证了该三阶四涡卷蔡氏电路设计的正确性和可行 性.研究结果表明,SETMOS的负微分电阻特性决定着多涡卷蔡氏电路的复杂动力学行为,而且所设计的电路结构 简单易行. 关键词:单电子晶体管,负微分电阻,多涡卷,分岔 PACC:0547 SETMOS 的负微分电阻(NDR)特性呈现出库仑振荡 [10] 1郾 引 言 现象 ,本文将利用 SETMOS 的NDR 特性得到设 计蔡氏混沌电路所需的非线性函数,然后基于细胞 相比于传统的单涡卷和双涡卷混沌系统,多涡 神经网络(CNN)思想实现蔡氏电路,进而产生多涡 卷混沌系统呈现出更为复杂的结构和动力学行为, 卷混沌吸引子,最后通过理论分析和仿真实验研究 在混沌保密通信和信息隐藏等领域具有较好的应 所设计混沌电路具有的非线性动力学行为. [1,2] 用前景 .近年来,有关多涡卷混沌吸引子的研 [1—6] 究 逐渐成为混沌研究领域的一个新方向.同时, 2郾 基于SETMOS的蔡氏多涡卷混沌吸引子 通过对此类系统中混沌的生成机理进行研究也可 以加深人们对于混沌系统的理解,有助于发展新型 摇 摇 大多数混沌系统中含有状态变量的乘积 混沌系统.在该领域的研究中,文献[7]对近年来提 项[11—15].其电路实现方法主要有以下三种:一是利 [16] 出的多涡卷混沌系统模型及其硬件实现方式进行 用模拟乘法器实现非线性乘积项 ,二是通过线性 [17] 了综述. 分段函数来代替乘积项 ,三是使用绝对值函数和 [18] 蔡氏电路的物理性质是一个非常简单的电子 开关函数来代替非线性乘积项 .但有一类只含有 混沌发生器,不论对于实验室实验研究混沌,还是 非线性函数而没有状态变量乘积项的混沌系统,例 利用计算机模拟研究混沌,蔡氏电路都是一个范 [19]