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维普资讯
第34卷 第2期 人 工 晶 体 学 报 o1．34No．2
2005年4月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS
本征微晶硅薄膜和微晶硅电池的
制备及其特性研究
张晓丹，高艳涛，赵 颖，朱 锋，魏长春，孙 建，耿新华，熊绍珍
(南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津300071；
南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室，天津300071；
光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学，天津大学)，天津300071)
摘戛：本文对VHF—PECVD制备的本征微晶硅薄膜和电池进行了电学特性和结构特性方面的测试分析研究。电学
测试结果给出制备薄膜的激活能为0．51eV，符合电池对材料的电学参数要求；拉曼散射谱测试结果计算得到样品
的晶化率为63％；X射线衍射结果也证明材料晶化，同时(220)方向择优；首次在国内用VHF—PECVD方法制备出
效率为5％的微晶硅电池(Jsc=21mA／cm ，Voc=0．46V，FF=5l％，Area=0．253cm)。
关键词：甚高频等离子体增强化学气相沉积；微晶硅；太阳电池
中图分类号：TK514 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2005)02-0297-04
FabricationofMicrocrystallineSiliconMaterialsandM icrocrystalline
SiliconSolarCellsandStudyonTheirProperties
ZHANGXiao—dan，GAO Yan—tao，ZHAO Ying，ZHUFeng，WEIChang—chun，
SUNJian，GENGXin—hua．XIONGShao—zhen
(InstituteofPhoto—electronicsThinFilmDevicesandTechniqueofNankaiUniversity，Tianjin300071，China；
KeyLaboratoryofPhoto-electronicsThinFilmDevicesnadTechniqueofTinajin，Tianjin300071，China；
KeyLaboratoryofOpto—electronicInformationScienceandTechnology(NnakaiUniversity，TianjinUniversity)，
MinistryofEducation，Tinajin300071，China)
(Received18October2004)
Abstract：Theelectricaland structuralpropertiesofmicrocrystallinesilicon thinfilm and solarcells
fabricatedbyVHF—PECVD were studied．Photosensitivity and activeenergy are 1000 and 0
． 51eV
respectively，whicharesuitablefortheapplicationofsolarcells．Thecrystallinevolumefraction(Xc)of
thinfilm obtainedfrom Ramanmeasurementis63％ ．TheresultsofX
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