SOI MOSFET抗辐射加固的常用方法与新结构.pdfVIP

维普资讯 器件制缝与应fl》 M硼删 劬 gaadApplicationofDevice SOIMOSFET抗辐射加固的常用方法与新结构 何玉娟，刘洁，恩云飞，罗宏伟，师谦 (电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室，广州 510610) 摘要：SOICMOS技术存在许多优势，但 由于存在厚的埋氧层，其总剂量效应反而比体 si器 件更差 ，因此需进行总剂量抗辐射加 固设计。对几种 SOIMOSFET的栅氧、埋氧和场氧总剂量抗 辐射加 固的方法进行 了对比较分析，指 出了各 自的优劣势 ，给 出了研究方向。并对 FLExFET和 G4．FET三维 SOI器件抗辐射加固新结构进行 了阐述 ，分析 了其优越性。 关键词 ：SOI；总剂量效应 ；FLEXFE