CSi共掺杂AlN的电子结构分析.pdfVIP

C:Si共掺杂AlN的电子结构分析 闫征 郑瑞生 武红磊 深圳大学光电子学研究所，深圳 518060 摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理全势线性缀加平面波法，研究了C：Si共掺杂纤锌矿AlN的32原子超胞体系的能带结 构、电子态密度等性质，分析了C:Si共掺实现p型掺杂的机理。在AlN的掺杂体系中，当C、Si的浓度相等时，C-Si复合物 形成,施主和受主杂质会相互补偿，导电性较弱；当提高C的掺杂浓度时，可能有c2-Si，C3-Si等复合物的形成，这些复合 物的形成通常能够提高受主杂质的固溶度，降低受主激活能，有效提高空穴浓度。C:Si共掺杂有利于获得p型AlN晶体。 关键词：AlN；第一性原理；共掺杂；电子结构 O471 A ElectronicStructureAnalysisofC:SicodopingAlN ZhengYanRuishengZhengHongleiWu CollegeofOptoelectronicengineering.ShenzhenUniversity,Shenzhen518060,China Abstract:Thebandstructureandelectronicpropertiesof32-atomwurtziteAINsupercellsystemwithC:Sicodopingis investigatedbytheFP-LAPW(Full-potentialLinearizedAugmentedPlanewavemethod)methodbasedontheDFT(DensityFunctional method)theory.IftheconcentrationofdopedCatomsisthesameasthatofSi,C-Sicomplexeswillcomeout,butforthecompensation effects,theconductivitywillbeverylow;asweimprovetheconcentrationofdopedC,othercomplexes,suchasC2-Si,C3-Sietc.,willbe formed,theexistenceofthesecomplexescanincreasethesolubilityofaccoptorimpuritiesaswellasreducingtheiractivationenergy. C:Sicodopingisapromisingwaytogainp-typeAINcrystals. Keyword:AlN；first-principle；codopmg；electronicstructure 】I叶¨e_●?■化青柏『牛—L尊、饿域■l—巾走’0I件掌术●-戗 (DFT)的第一性原理全势缀加平面波法 从图中可以看出，AIN晶胞中的配位体 (FP—LAPW)，构建了含32个原子的超胞模型，是一个三角锥：其沿c轴方向的中心原子与 使用C代替N成为受主，Si代替Al成为施锥项原子的键长(0．190nm)稍微大于其他 主，计算了C：Si共掺杂纤锌矿AIN晶体的方向的中心原子与锥面三个原子的键长 能带结构和态密度等相关参数，分析了C： (0．189nil])。 Si共掺导致晶体中空穴浓度增加的机理。在 计算采用基于密度泛函理论的全势线 AIN共掺杂体系中，当C与Si的浓度相等时，性缀加平面波法，使用Wien2k代码实现。 形成C-Si复合物，C可能会被完全补偿；当采用广义梯度近似(PBE—GGA)处理交换关 C的浓度高于Si的浓度时，将会形成C：一Si，联能；k点数取100；平面波截止条件为 Cs-Si等复合物，可提高受主杂质的固溶度， K”似=6；超 尺胖(muffin—tin半径)X 对提高空穴浓度有重要的指导意义。 胞中的同类型原子使用相同的尺MT。 2 理论模型和计算方法 3 结果分析