重P型掺杂GaAsSb费米能级研究.pdfVIP

重P型掺杂GaAsSb费米能级研究 高汉超 尹志军 程伟 王元 许晓军 李忠辉 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，南京电子器件研究所，南京 210016 摘要:重P型掺杂GaAsSb广泛用于InPHBT基区材料，重掺杂影响GaAsSb材料带隙和费米能级等重要参数，这些参数对设 计高性能HBT起着关键作用。光荧光作为重要手段广泛用于研究重掺杂III-V族外延材料。本文通过光荧光方法研究了重掺杂 GaAsSb费米能级与Sb组分的关系，由于费米能级与空穴有效质量mh和空穴态密度nh存在函数关系，我们通过荧光测量并计 算了空穴有效质量mh和空穴态密度nh，研究结果表明，mh,和nh共同主导了费米能级的变化。 关键词： GaAsSb；HBT；费米能级；PL O782+8 A StudyofFermilevelofheavilyp+-dopedGaAsSb HanehaoGaoZhijunYinWeiChengYuanWangXiaojunXuZhonghuiLi ScienceandTechnologyonMonolithicIntegratedCircuitsandModulesLaboratorys,NanjingElectronicDeviceInstitute,Nanfing, 210016,China Abstract:Heavilyp+-dopedGaAsSbisextensivelyappliedtoInPHBTbasematerial,heavilydopehasinfluenceonmanyimportant parameters,suchas:bandgapandFermilevel.TheseparametershavekeyfactorfordesigninghighperformanceI-IBTdevices. Photoluminescence－ asanimportanttechniqueisextensivelyusedtostudyIII-Vepitaxialmaterial.Thisworkstudiedltherelationship betweenGaAsSbFermilevelandSbcompositionthroughPL.BecauseFermilevel,holeeffectivemass(mh)andholedensity(nh)have functionalrelationship,andwemeasuredandcalculatedmhandnh.wefoundmhandnhresultinthechangeofFermilevel. Keywords:GaAsSb；HBT；Fermilevel；PL 第十七一全■化奢静半●-俸、破翻【—‘呵_光电●l件掌术·●议 仪校准为580℃，然后生长GaAs缓冲层，待 了材料的实际带隙；勖代表荧光峰的最大 表面平滑后，将衬底降温至490℃生长 强度；疡+弓代表由间接跃迁引起的高能尾。 GaAsSb外延层。在生长过程中，为了获得相 同剂量的Be原子注入，我们始终保持Be炉 温度保持恒定。 der 采用标准的Vanpauw方法测量样品 的掺杂浓度，GaAsSb的组分由BedeD1高 分辨X射线衍射系统的(004)(224)对称和非 一3．毋一≥一∞c窘c—Jn 对称扫描确定。BedeD1双晶衍射仪配有抛 物线渐变的多层Gulman反射镜准直器和四 次反射的Si(220)单色仪，CuK．1线的波长九= 0．154056 图l不同Sb组分情况35K下的光荧光谱，高能端一侧峰 am．Sb的组分和Be的浓度列于表 K 能对应是间接跃迁用Eo+毋表示 1，光荧光光谱测量使用Here激光器