Eu掺杂ZnO薄膜与Si100衬底间扩散过程分析.pdfVIP

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2017-09-11 发布于江西
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Eu掺杂ZnO薄膜与Si100衬底间扩散过程分析.pdf

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第留卷增刊2 稀有金属材料与工程 V01．37，Suppl．2 2008年 5月 RAREMETALM觚RIAI，SANDENGINEERING 2008 May InterfaceDiffusionbetweenZnO：EuThinFilmand the Si(1 00)Substrate Zhu Jian，Hou Hui Mankang，ChenYudong，Yan LabofAdvancedFunctional (Key University Materials，BeringofTechnology,Bering100022，China) AbstractiEu ZnOthinfilmswere ona a method．The doped depositedSi(100)substrateusingsprayingpyrolysis precursor solutionwas N2carrier form ZnO substratesweresetint0atubefurnaceto sprayedby gas．ToPOlycrystallinematerial，the maintainthe at aRutherford atomdistributionof depositiontemperature350℃．Using backscattering(RBS)system，the elementsbetweentheZnO：Euthinfilmsand wasexamined．111e showthatthetransition Si(100)substrates experiments layers existbetweenZnOthinfilmsandthe RBSmeasurementsandsimulationrevealthattheformationofthe Si(100)substrate．The iscontrolledthediffusionofSiintotheZnOthinfilms．ThisfactindicatesthatthediffusionofSiinto thin layer by oxidefilms shouldnotbe atlow of theFick’sDiffusiondiffusion of neglected，eventemperature350℃．Byapplying Law，the capability Siinto was ZnOthinfilmswithdifferent studiedandcalculated．Itisconcludedthatthe Eu3+will