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第37卷 第11期 稀有金属材料与工程 V01.37,No.11
2008焦 11月 RAREMETALMATER-【ALSANDENGINEERING November2008
微尺寸SnAg凸点中孔洞生长机理的研究
林小芹1,一,罗 乐1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050)
(2.中国科学院研究生院,北京100049)
摘 要:采用电镀的方法在制备了尺寸小于100
的生长、孔洞的生长机理和分布以及影响因素。结果表明,回流过程中孔洞形成的主要原因是相变过程发生的体积缩
减,而时效过程中孔洞形成的主要原因是柯肯达尔效应。时效过程中Cu,sn(e相)中孔洞的生长及分布受初始形成的
Cu6sns(,,相)影响。厚玎相及玎晶界处形成的孔洞促进e相中孔洞的生长。平直的s相/Cu界面以及s相层内孔洞的连接
对凸点的长期可靠性构成威胁。
关键词:SnAg:孔洞;金属间化合物;回流焊;时效
中图法分类号:TG146.1 文献标识码:A 文章编号:1002·185X(2008)11-1903·05
随着消费电子无铅化和小型化的进行,尺寸小于
100
lam的无铅凸点的制备及其连接可靠性日益成为
电子封装产业的关注问题。焊料与凸点下金属层
(UBM)铜之间由于容易形成了金属间化合物(IMC)而
连接牢固。然而,普遍认为厚的IMC容易发生脆性断 流凸点成球。凸点回流成球在氮气气氛保护下的五段
裂而成为机械脆弱面。Sn基焊料与Cu之间形成的温区回流炉(falcon
8500)中进行,峰值回流温度为260
IMC随时间和温度发生长大【1川。然而,随着凸点尺
寸的要求越来越小,凸点连接界面处孔洞的形成对凸 80℃,回流时间均为30s,冷却速率约4℃/s。对凸
点可靠性的影响问题不容忽视。早在1994年,Yang
的平均高度约70
和Messler发现电镀铜卜的SnAg凸点经190℃时效3 l*m的SnAg凸点形貌。对未经回流
d后,界面处出现孔洞【5】。Cu,Sn相中的孔洞由柯肯达以及5次凹流处理后的凸点样品在150℃下进行时效
处理30d。对样品进行镶样并抛磨至凸点的中截面,
尔效应产生。随着时效的进行,Cu上的SnPb凸点的
剪切强度逐渐降低【6I。焊点不仅在服役过程中要经历 抛光后的凸点截面不进行腐蚀处理以便观察孔洞。采
时效过程,而且在多级封装以及返修中不可避免要经 用Hitachi
历多次回流焊。回流和时效过程小尺寸凸点中孔洞的 界面进行孔洞观察以及显微组织分析。
生成、分布和影响因素等值得大家关注。然而,目前
国内外在这些方面的报道甚少。本实验研究了UBM
层上的铜与电镀Sn.3.0Ag焊料凸点在回流焊和时效
过程中的界面反应。采用扫描电镜和能谱仪分析了孔
洞的形成机理与分布,以及其影响因素。
1 实 验
mm
SnAg凸点的制备过程如下:(1)选用西100
硅圆片,进行清洗后热氧化:(2)溅射0.6“m的Al 图l SnAg凸点的SEM形貌
SEM of solder
SnAg samples
膜,然后光刻并腐蚀出图形:(3)等离子体增强化学气 Fig.1 image
收稿日期:2007.12.10
基金项目:国家自然科学摹金项Et资助
linxq@mail.sim.ag.cn
万方数据
·1904·
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