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Au—Sn合金层叠软钎料及其制造方法 近年来，在电子设备的小型化的同时，作 在包含熔化时间地进行控制时构成合金的结晶 为环境对策要求不含铅成分的软钎焊技术。因 的大小也成为重要的要因。根据Au—sn合金的相 而，在将LED等半导体元件或电阻等电子要素 图，Au80重量％的Au—Sn合金由Au5Sn结晶和 组装在安装基板即辅助安装基板时，作为软钎 AuSn结晶构成。在各个结晶具有比共晶点高的 料一直采用Au—Sn共晶软钎料。例如在半导体激 熔点，因此即使在达到共晶点温度28O℃时，也 光领域，采用块状材的软钎料，因此，元件的 有各结晶也一边缓慢熔化一边与全体混合的阶 熔敷从位置精度、操作性、成本等方面考虑是 段 ，然后，最终全体完全熔化。因此，各结晶 不优选的。因而，考虑预先在接合处形成适合 粒径越小 ，越能够使其短时间熔化，但在利用 软钎料接合的衬底 电极膜，在其上成膜薄膜式 实时蒸镀的成膜工序中稳定地将结晶粒径控制 的Au—Sn软钎料的方式。 在较小是非常难的管理。一般 ，通过将成膜时 可是，在以往的合金单层软钎料时，例如 的基板温度控制在较低可抑制结晶的生长，但 从1个蒸发源利用电子束蒸镀法使Au—sn合金材 几LJm的膜厚形成在蒸镀法中是比较厚的膜，因 料飞溅，形成Au-Sn单层薄膜。在这种情况下， 此膜形成需要几小时，在此期间，将基板温度 在Au—Sn单层薄膜 内部的深度方向组成的偏差 控制在较低是非常难的，作为装置也变得大而 大，不能得到均匀的Au—Sn合金。其结果是，软 非常复杂。 钎料的熔化温度或熔化时间出现差异，熔化状 另一方面，在通过交替层叠Au薄膜和Sn薄 态不均匀，软钎料特性产生偏差。在具有如此 膜形成多层膜的方法中，有操作性繁杂，且膜 的Au—Sn合金软钎料膜的安装基板即辅助安装 厚及层数控制也繁杂，成膜中的Sn的结晶化使 基板组装半导体元件时发生接合强度的偏差及 膜质疏松 ，熔化侵蚀到A_u中，使软钎料劣化等 接合不 良。 问题。 此外，例如在激光二极管的实装工序中， 日本小田元树发明了一种Au—Sn合金层叠 一 直要求通过高速加热使软钎料短时间，进行 软钎料，是形成在安装基板的被接合部上的由 实装的工序。第一理由是品质，因为长时间的 Au．sn合金构成的软钎料膜，该软钎料膜通过多 加热使激光二极管的发光元件劣化。第二理由 层层叠Au—Sn合金薄膜而形成。所述Au—Sn合金 是成本 ，激光二极管的价格竞争非常激烈，组 层叠软钎料每层的厚度为0．5pm以下，更优选 立工序时间的缩短也成为重要的课题。作为短 为0．2pm以下。在所述Au-sn合金层叠软钎料 时间使软钎料熔化的必要的条件，第一是软钎 中，构成Au—Sn合金软钎料膜的结晶的粒径为 料膜的组成控制。Au—Sn软钎料的熔点因Au和 0．2Um以下，Au组成 比为65~80重量％、Sn组 Sn的组成 比而不同，因此采用熔点低 的共晶点 成比为20~35重量％，在所述Au—Sn合金层叠软 附近的组成。Au—sn合金的共晶点有两处 ，为 钎料的表面具有Au层。该软钎料膜由于通过多 Au80重量％附近和l0重量％附近，单一般在耐 层层叠Au—Sn合金薄膜而形成，因此即使1层中 久性方