采取mems 制作新型硅磁敏三极管特性研究.pdfVIP

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2017-09-11 发布于山东
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86 传感器技术(JournalofTransducerTechnology) 2004年第 23卷第9期， k =刖沿技一术～采用 MEMS制作新型硅磁敏三极管特性研究赵晓锋，田凤军，温殿忠 (黑龙江大学电子工程学院，黑龙江哈尔滨 150080) 摘要：给出采用MEMS技术在硅片表面制作矩形板状立体结构新型硅磁敏三极管的基本结构及灵敏度特性、电压一电流特性、磁电特性和温度特性，对新型硅磁敏三极管样品基本特性进行研究的结果表明：该新型硅磁敏三极管的集电极电流相对磁灵敏度较高，最大可达 227％／T，具有负温度系数且温度系数较小。同时，给出影响新型硅磁敏三极管特性的基本因素。关键词：硅磁敏三极管；MEMS技术；磁灵敏度 ’ 中图分类号：TP212 文献标识码：A 文章编号：1000—9787(2004)09—0086—03 Characteristicresearch ofnew typesilicon magnetotransistor manufacturedbyM EM Stechniques ZHAOXiaof·eng，TIANFeng-jun，WENDian·zhong (DeptofEIctEngin，HeilongjiangUniversity，Harbin150080，China) Abstract：A basicstructureaboutmanufacturinganewtypesiliconmagnetotransistorwithrectangle·plankcubic constructionon silicon surfacewithMEMS techniqueisshown．Sensitivity．I·V．magnetoelectricand temperature characteristicscanalsobegot．Ontheresultantoftheresearch，thehigh magnetic·sensitivityofIothatmaximum canreach227％／T andthesmallnegativetemperaturecoefficientcanbeattained．Meanwhile，basicfactorsabout affectingnew typesiliconmagnetotransistorcharacteristicarealsoshown． Keywords：siliconmagnetotransistor；MEMStechniques；magnetic·sensitivity 0 引言 1 新型硅磁敏三极管的基本结构自双注入结型磁敏器件问世以来，磁敏器件有了长足采用MEMS技术在叮r型(即弱P型)、电阻率p~10011·am 的高阻单晶硅片表面制作具有矩形板状立体结构…的的发展，从合金工艺发展到了平面工艺。20世纪 70年代， npn型硅磁敏三极管的基本结构如图1所示。一直以合金烧结工艺制作立体结构锗磁敏三极管和硅磁敏 C B 二极管为主要结型的磁敏器件，在硅片上制作具有矩形板呈土