MFMIS 铁电场效晶体管的制备及存储特性.pdfVIP

第3。卷第2期 压 电 与 声 光 Vol.30No.2 2008年4月 PIEZOELECTECTRICS ACOUSTOOPTICS Apr.2008 文章编号:1004一2474(2008)02一0180一03 MFMIS铁电场效晶体管的制备及存储特性 蔡道林，李 平，张树人，翟亚红，阮爱武，刘劲松，欧阳帆，陈彦宇 (电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都61。。54) 摘 要:在磁控溅射法制备Pb(Zr0.。:T肠.;。)03(PZT)铁电薄膜的基础上，结合半导体工艺制备了金属/铁电/金 属/绝缘层/51衬底(MFMIS)结构的铁电场效应晶体管。器件的顺时针电容一电压(C--V)特性曲线和逆时针漏电流- 栅电压(几一凡)特性曲线表明，n沟道PZT铁电场效应晶体管具有明显的栅极化调制效应和极化存储性能，且在 一5一+SV的电压下存储窗口为ZV。 关键词:磁控溅射;MFMIS;铁电场效应晶体管;存储窗口 中图分类号:TN384;TN321+.5 文献标识码:A FabricationandMemoryCharacteristicsofFerroeIectricFieldEffect TrsllsistorSWithMFMISStrllcture CAIDa于lin，LIPing，ZHANGShu-ren，ZHAIYa-hong，RUANAi一wu，LIUJing-song， OUYan兮fan，CHENYan一yu (StateKeyLab.ofEIectronicThinFilmsandIntegratedDevices，UniversityofElectronicScienceandTechnoIogy，Chengdu610054，China) Abstract:TheMetal/Ferroelectric/Metal/Insulator/Sisubstrates(MFMIS)field-effect一transistors(FFETs) werefabricatedusingthePb(Zro.5:T肠.:‘)认 (PZT)thinfilmon介SisubstratespreparedbyRFmagnetronsputte- ringtechniqueintegratedwithsemiconductortechnology.TheclockwisecaPacitanc仑voltage(C-V)andthecounter- clockwisedraincurren卜gatevoltage(Id一砚)hysterisisloopofthenchannelPZTFFETsdemonstratethatthechan- nelcurrentismodulatedbytheferroelectricpolarizationofPZTfilms，andFFETscanrealizeamemoryeffectdueto theferroelectricpolarizationofPZTfi1ms.MemorywidowoftheFFETsis2Vforavoltageswingbetween一5~ +SV. K叮words:RFmagnetronsputterin只，MFMIS;field-effect-transistors;memorvwindow 近来，铁电存储器(FRAM)因具有高速、非挥 称PZT)因具有较大的剩余极化强度，低的矫顽场 发性、抗辐射性强、能与半导体51集成电路工艺相 强和低的晶化温度，是适合FRAM使用的一种铁电 兼容等特点而受到广泛的研究 〔卜2