AN-9005—快速开关超结MOSFET的驱动和布局设计.pdfVIP

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计 摘要 为了降低噪音辐射，需要较高的寄生电容值。寄生电容 要求存在直接的冲突。根据最近的系统趋势，提高效率 功率 MOSFET 技术继续朝着更高单元密度和低导通电阻 是关键目标，而仅仅为了减少 EMI 而降低开关器件的 发展。然而，由于导通电阻的大小会随阻断电压的增大 速度并不是最佳解决方案。本指南说明在设计快速开关 而呈指数增长，因此使用传统平面 MOSFET 技术显著减 电源器件时，如何权衡这些考虑因素。 小导通电阻时就存在硅限制。克服硅限制的其中一个努 力是在高电压功率 MOSFET 中采用超级结技术。超级结 超级结 MOSFET 技术 技术可同时显著降低导通电阻和寄生电容，而其通常存 通常认为 RDS(ON) x QG ，即品质因数