SooPAT半导体材料表面缺陷测量装置及表面缺陷测量方法.pdfVIP

SooPAT 半导体材料表面缺陷测量装置及 表面缺陷测量方法 申请号：201110416220.9 申请日：2011-12-14 申请(专利权)人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 地址 215125 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 发明(设计)人刘争晖 徐耿钊 钟海舰 樊英民 曾雄辉 周桃飞 邱永鑫 王 建峰 徐科 主分类号 G01N21/66(2006.01)I 分类号 G01N21/66(2006.01)I 公开(公告)号102495043A 公开(公告)日2012-06-13 专利代理机构 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人 孙佳胤 翟羽 注：本页蓝色字体部分可点击查询相关专利 (19)中华人民共和国国家知识产权局 *CN102495043B* *CN102495043B* (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 102495043 B (10)授权公告号 CN 102495043 B (45)授权公告 日 2013.10.30 (21)申请号 201110416220.9 G01Q 60/24 (2010.01) (22)申请 日 2011.12.14 审查员 王海玲 (73)专利权人 中国科学院苏州纳米技术与纳米 仿生研究所 地址 215125 江苏省苏州市工业园区独墅湖 高教区若水路398 号 (72)发明人 刘争晖 徐耿钊 钟海舰 樊英民 曾雄辉 周桃飞 邱永鑫 王建峰 徐科 (74)专利代理机构 上海翼胜专利商标事务所 (普通合伙) 31218 代理人 孙佳胤 翟羽 (51) Int.C l. G01N 21/66 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图5页 权利要求书2 页 说明书6 页 附图5 页 (54) 发明名称 半导体材料表面缺陷测量装置及表面缺陷测 量方法 (57) 摘要 本发明提供半导体材料表面缺陷测量装置及 表面缺陷测量方法，属于半导体测试领域。装置 包括样品台、原子力显微镜导电探针、电压源、压 电激振陶瓷、光学显微镜系统、单色仪、光电探测 器和锁相放大器，电压源、压电激振陶瓷均与原子 力显微镜导电探针相连，单色仪相连、光电探测 器、锁相放大器顺次相连 ；其方法步骤为：将待测 样品放置样品台上；针尖产生一周期性的机械振 动；待测样品的裸露表面产生一周期性的光；将 待测样品所发出的光聚集至单色仪处进行分光； 测量发光信号。本发明解决了现有技术中对测量 半导体表面缺陷中电致发光光谱测量存在的问 B 题，本发明可以屏蔽杂散光对测量结果的影响，提 B 3 3 供较优的信噪比。 4 4 0 0 5 5