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模拟电子技术基础 安徽理工大学电气工程系 2.2 场效应半导体三极管 2.2.1 绝缘栅场效应三极管的工作原理 2.2.2 伏安特性曲线 2.2.3 结型场效应三极管 2.2.4 场效应三极管的参数和型号 2.2.5 双极型和场效应型三极管的比较 场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表示。 当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VGS(th)时，通过栅极和 衬底间的电容作用，将靠近栅极 下方的 P 型半导体中的空穴向下 方排斥，出现了一薄层负离子的 耗尽层。耗尽层中的少子将向表 层运动，但数量有限，不足以形 成沟道，将漏极和源极沟通，所 以不可能以形成漏极电流ID。 VGS对漏极电流的控制关系可用：ID=f(VGS)?VDS=const 这一曲线描述，称为转移特性曲线，见图02.14。 图02.14 VGS对漏极电流的控制特性——转移特性曲线 当VDS为0或较小时，相当VGS＞VGS(th)，沟道分布 如图02.15(a)，此