五场效应管放大电路第十五次课教学课题场效应管放大电路.docVIP

五 场效应管放大电路 （第十五次课） 一、教学课题: 场效应管放大电路 二、教学内容: 结型场效应管原理介绍；常见的场效应管放大电路； 三、教学目标: 1、掌握场效应管的分类与工作原理； 2、了解场效应管的相关参数和输入、输出响应； 3、掌握场效应管放大电路的静态和动态分析方法； 4、能对常见的场效应管放大电路分析、计算。 四、教学重点: 1、场效应管的输入、输出特性； 2、场效应管放大电路的静态和动态分析。 五、教学难点: 场效应管放大电路的静态和动态分析。 六、教学时数:3学时 七、教学过程: （一）旧知识复习 晶体管的放大原理，利用基极电流控制输出电流。 （二）引入新知识 1、什么是场效应管； 2、场效应管工作原理； 3、场效应管放大电路的工作原理。 （三）新课讲解 《一》5.1 场效应管 5.1.1 场效应管特点与分类 场效应是指半导体材料的导电能力随电场的改变而变化的效应。半导体三极管是电流控制型器件。场效应管则是电压控制型器件。 晶体管的特点与分类： 双极型晶体管：三极管在工作时，有两种载流子参与导电（电子与空穴）。 单极型晶体管：场效应管工作时，只有一种载流子参与导电（电子或空穴）。 场效应管的外形与三极管相似。 场效应管的结构，可以分为： 结型场效应管（JFET）：结型场效应管是利用半导体内电场效应工作的。根据其体内的导电沟道所用的材料不同，分为N沟道和P沟道两种，它的输入阻抗高达10MΩ。 绝缘栅型场效应管（MOSFET）：绝缘栅型场效应管又称为金属—氧化物—半导体场效应管（简称MOS管），它是利用半导体表面的电场效应工作的。分为增强型和耗尽型，而每一种根据其导电沟道的不同又分为N沟和P沟道两类。 5.1.2 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 结构及符号： 工作原理： 制造管子时，预先在绝缘层中掺入大量的正离子。在正离子产生的正向电场作用下，P型衬底中的空穴被排斥并移到衬底的下方，电子则被吸引到衬底与绝缘层的交界面上来，形成N型薄层，称为反型层。反型层将两个N+区连通，形成漏极与源极之间的导电沟道如图3.4所示。此时，若在漏、源极之间加上正向电压，则电子便从源极经N沟道（反型层）向漏极漂移，形成漏极饱和电流。 当＞0，即栅、源极之间加上正向电压时，由于管子存在绝缘层，不会形成栅极电流，但会从沟道中感应出更多的负电荷，导电沟道变宽，漏极电流大于漏极饱和电流。 当＜0，即栅、源极之间加上负电压时，N沟道的负电荷减少，导电沟道变窄，从而使减少。当负电压增大到某一固定值时，沟道被夹断，=0，此时的电压称为夹断电压，用 或表示。 3、特性曲线 转移特性曲线 ； 转移特性表示对的控制能力，反映了管子的放大作用。 图3.5 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管特性 （a）转移特性;（b）输出特性 对于N沟道耗尽型管，当=0时就存在着导电沟道，加上就产生。当G、S极加反向偏压时，就会削弱绝缘层中正离子的电场作用，使减少。可见，耗尽型场效应管在为正值或负值时都可以对漏极电流进行控制， 从特性曲线可知，转移特性是非线性的，管子的跨导不是一个常数，增大时，也增大。 输出特性 ； 可变电阻区：在这个区域内，较小，对导电沟道的宽度影响不大，导电沟道的电阻主要由值来决定。随增大而增大，而且曲线的上升很快。这时场效应管的动态电阻很小，其阻值主要由导电沟道决定，也就是由决定，改变的大小，就可以改变输出动态电阻，所以该区称为可变电阻区。 放大区（也称饱和区或恒流区）：当增大时，由于漏极正电场削弱了由正离子感应产生导电沟道中的电场强度，因而在靠近漏极处的导电沟道越来越窄，出现了宽度很窄的导电沟道。再增加，导电沟道宽度不变，但变长了，等效电阻增大，基本不变，特性曲线呈水平状，即饱和。只有当场效应管工作在这个区域时管子才有放大作用。 击穿区：当增大到一定值时，漏极电流会突然增大，使管子进入击穿区，如图3-4(b)所示曲线的上翘部分。在击穿区管子会因过热而损坏，使用时应防止管子进入击穿区。 N沟道增强型绝缘栅场效应管只能在正栅压下工作，所以其转移特性曲线只存在于第一象限 场效应管主要参数 夹断电压：指当为某固定值时，使漏极电流减小到接近零值时的栅源电压。显然，夹断电压参数只适用于结型场效应管和耗尽型的MOS管。 漏极饱和电流：指当=0时，漏极加有某固定电压时的漏极电流。 直流输入电阻：指加在栅源极之间的直流电压与由它引起的栅极电流之比。场效应管的值一般都高于10MΩ，尤其是MOS管，有的高达 MΩ。 跨导：指在为某一固定值时，漏极电流变化量Δ与引起该变化量Δ之比，也称为互导。即；的单位是毫西门子(ms)。跨导表示了栅极电压对漏极电流的控制能力，是衡量场效应