第二章集成电路材料与器件物理基础.pptVIP

集成电路材料 突变结 线形缓变结 pn 结形成的物理过程 平衡态的pn结 PN结的基本应用 整流：使一个正弦波流经二极管，则只有大于零的正向部分会到达后面的电路，这种滤除负向信号的过程称为整流 电流隔离：电流单向流动 §2.4 结型二极管 肖特基接触 肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。具有肖特基接触的金属与半导体界面形成结二极管，符号 双极型晶体管 双极型晶体管 §2.6 MOS晶体管 MOS 晶体管 MOS 晶体管 MOS 晶体管 MOS 晶体管 JFET（junction gate field-effect transistor ） MESFET（metal semiconductor field effect transistor ） Fundamentals of IC Analysis and Design(2) 材料与能源学院微电子材料与工程系 第二章 集成电路材料与器件物理基础 §2.1-2.3 略 §2.4 PN结及结型二极管 §2.5 双极型晶体管 §2.6 MOS晶体管 §2.7 MESFET 10-22 ~10-14 SiO2、Si3N4 绝缘体 10-9 ~102 硅、锗、砷化镓、磷化铟、氮化镓 半导体 ~105 铝、金、钨、铜等，镍铬等合金，重掺多晶硅 导体 电导率（S/cm） 材料 分类 §2.4 PN结 了解pn结的意义 pn结---多数半导体器件的核心单元 电子器件： 整流器 (rectifier) 检波器 (radiodetector) 双极晶体管 (BJT) 光电器件： 太阳能电池 (solar cell) 发光二极管（LED） 半导体激光器 （LD） 光电二极管(PD) p n 根据杂质浓度的分布，可以划分为： 同质pn结 异质pn结 根据结两边的材料不同，可划分为： 通过控制施主与受主浓度的办法，形成分别以电子和空穴为主的两种导电区域，其交界处即被称为p-n结。 pn 结的结构 在接触前分立的P型和N型硅的能带图 电子 空穴 扩散 eVbi （b）接触后的能带图 C E F E i E V E eVbi 漂移电流 扩散电流 内建电场 E 接触电势差 Vbi 漂移 漂移 空间电荷区 扩散 扩散 p n E + - - 0 p n 电压表 反向偏压下的PN结 随着反向偏压的增加，PN结的耗尽区加宽。 + - - 0 p n 电压表 正向偏压下的PN结 随着正向偏压的增加，PN结的耗尽区变窄。 Ev Ec Eip Ein EFn q(Vbi –VD) EFp Ev Ec Eip Ein EF qVD 平衡态下理想PN结的能带图 正向偏压下理想PN结的能带图 Ev Ec Eip Ein EFn q(Vbi –VD) EFp 反向偏压下理想PN结的能带图 理想PN结半导体二极管电流方程 PN结符号 内建电场E EF Ev Ec qVD E0 EFm E0 EFn Ev Ec qVD 金属与N型材料接触 内建电场E E0 EFm E0 EFp Ev Ec qVD 金属与P型材料接触 EF Ev Ec qVD 反向偏压，垫垒提高，无电流通过 正向偏压，垫垒降低，有电流通过 欧姆接触 欧姆接触是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻。金属作为半导体器件的电极，要求具有欧姆接触。 E0 EFm E0 EFn Ev Ec E0 EFm E0 EFp Ev Ec 欧姆接触的金属与N型材料的选择 欧姆接触的金属与P型材料的选择 实现良好的欧姆接触： (1) 选择金属与半导体材料，使其结区势垒较低 (2) 半导体材料高掺杂 第一个PN结须正偏，才能正常工作，阀值电压为0.8V。 整个器件上跨接5V的电压，已经进入P区的电子会继续向上运动。 P区要很薄，才能保证跨接的5V的电压对电子的控制。 底部的N型半导体提供电子，叫发射极（Emitter） P型半导体作为PN结的基本结构，叫基区 （Base） 顶部的N型半导体收集另一个N型半导体提供的电子，叫集电极（Collector) 发射结正偏，集电结反偏时，为放大工作状态。 发射结正偏，集电结也正偏时，为饱和工作状态。 发射结反偏，集电结也反偏时，为载断工作状态。 发射结反偏，集电结正偏时，为反向工作状态。 发射结 集电结 N P N 工作状态： 场效应晶体管（FET） 由于附近电压作用而形成电子或空穴聚积的效应称为场效应。 源 漏 源 漏 附近正电压所产生的场效应有效提高半导体材料表面