半导体物理学 第七版 刘恩科编著chap5.pptVIP

第五章 非平衡载流子 Carrier concentrations in unequilibrium 刘丹 热平衡状态（thermal balance） ： 复合释放能量的方法 发射光子 发射声子 将能量给予其他载流子（俄歇复合） 非平衡载流子寿命 寿命不仅与平衡载流子浓度有关，还与非平衡载流子浓度有关。 小注入条件下 对于n型材料 ，若 若 根据直接复合理论，硅、锗非平衡载流子寿命的计算结果与测量结果差距较大。 一般而言，禁带宽度越小，直接复合的概率越大。 5.7载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式 外加电场 n型均匀掺杂半导体，沿x方向加一均匀电场，同时在表面处光注入非平衡载流子。则少子空穴的电流密度： 少子空穴电流密度 电子电流密度 考虑热平衡状态的非均匀的n型半导体，施主杂质浓度随x的增加而下降。 扩散电流 体内自建电场产生漂移电流 平衡时总电流、电子电流和空穴电流均等于0 可得 半导体内的电场分布 在非简并情况下，电子的浓度 求导得 代入可得爱因斯坦关系式 同理可得 §5 连续性方程 (1)??? 连续性方程 (2) 连续性方程的应用 ★ 连续性方程的一般形式 连续性方程—漂移运动和扩散运动同时存在时,少子所遵守的运动方程. 讨论少子浓度的变化: ? 扩