半导体物理学 第七版 刘恩科编著chap2.pptVIP

第2章 半导体中杂质和缺陷能级Impurity and defect energy level in semiconductor 刘 丹 2.1.1替位式杂质、间隙式杂质 替位式杂质 杂质原子的大小与晶体原子相似 III、V族元素在硅、锗中均为替位式杂质 间隙式杂质 杂质原子小于晶体原子 杂质浓度：单位体积内的杂质原子数 2.1.2施主杂质、施主能级 Donor impurity and donor level 2.1.3受主杂质、受主能级Acceptor impurity and acceptor level 2.1.4 浅能级杂质电离能简单计算 2.1.5杂质的补偿作用 当NDNA时 n= ND-NA ≈ ND，半导体是n型的 2.1.6深能级杂质 非Ⅲ、Ⅴ族杂质在Si、Ge的禁带中产生的施主能级远离导带底，受主能级远离价带顶。杂质电离能大，能够产生多次电离 特点 多为替位式杂质 硅、锗的禁带中产生的施主能级距离导带底、受主能级距离价带顶较远，形成深能级，称为深能级杂质。 深能级杂质能够产生多次电离，每次电离均对应一个能级。 金是I族元素 故可失去一个电子，施主能级略高于价带顶； 也可得到三个电子，形成稳定的共价键结构。但由于库仑力的排斥作用，后获得电子的电离能大于先获得电子的电离能。即EA3EA2EA1。 金在Ge中存在ED、 EA3、EA2、EA1四个孤立