半导体物理学 第七版 刘恩科编著chap7.pptVIP

第七章 金属和半导体的接触Contact between Metal and Semiconductor 1938年，W. Schottky提出了基于整流二极管的理论，称为肖特基二极管理论。这一理论以金属和半导体功函数差为基础。 肖特基势垒二极管是多子器件, 有优良的高频特性.一般情况下, 不必考虑少子的注入和复合. 肖特基势垒二极管有较低的正向导通电压. 7.3少数载流子的注入和欧姆接触 7.3.1少数载流子的注入 n型阻挡层，体内电子浓度为n0，接触面处的电子浓度是 电子的阻挡层就是空穴积累层。在势垒区，空穴的浓度在表面处最大。体内空穴浓度为p0，则表面浓度为 加正压时，势垒降低，形成自外向内的空穴流，形成的电流与电子电流方向一致。 空穴电流大小，取决于阻挡层的空穴浓度。 平衡时，如果接触面处有 此时若有外加电压，p(0)将超过n0，则空穴电流的贡献就很重要了。 加正向电压时，少数载流子电流与总电流值比称为少数载流子的注入比，用γ表示。 加正电压时，势垒两边界处的电子浓度将保持平衡值，而空穴在阻挡层内界形成积累，然后再依靠扩散运动继续进入半导体内部。 因为平衡值p0很小，所以相对的增加就很显著。 对n型阻挡层而言 7.3.2欧姆接触 定义 不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的变化。 实现 反阻挡层没有整流作用，