半导体物理学 第二章_半导体中的杂质和缺陷.pptVIP

第二章 半导体中的杂质和缺陷 理想半导体： 1、原子严格周期性排列，具有完整的晶格 结构。 2、晶体中无杂质，无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带——电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。 ?本征半导体——晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。由本征激发提供载流子。 实际半导体 实际半导体中原子并不是静止在具有严格周期性的晶格位置上，而是在其平衡位置附近振动； 实际半导体并不是纯净的，而是含有杂质的； 实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的，而是存在着各种形式的缺陷，点缺陷，线缺陷，面缺陷； 主要内容 B:替位式→杂质占据格点位置。大小接近、电子壳层结构相近 定义： 施主杂质 V族元素在硅、锗中电离时能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称此类杂质为施主杂质或n型杂质。 施主电离 施主杂质释放电子的过程。 施主能级 被施主杂质束缚的电子的能量状态，记为ED，施主电离能量为ΔED。 n型半导体 依靠导带电子导电的半导体。 电离的结果：价带中的空穴数增加了，这即是掺受主的意义所在 定义： 受主杂质 III族元素在硅、锗中电离时能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心，称此类杂质为受主杂质或p型杂质。 受主电离 受主杂质释放空穴的过程。 受主能级 被受主杂质束缚的空穴的能量状态，记为EA。受主电离能量为ΔE