pn结晶体二极管.ppt

2.2 PN结和晶体管 在一块n型（或p型）半导体单晶上，用适当的工艺方法（如：合金法、扩散法、生长法、离子注入法等）把p型（或n型）杂质掺入其中，使这块单晶的不同区域分别具有n型和p型的导电类型，在二者的交界面出就形成了pn结。 1）合金法制备pn结 把一小粒铝放在一块n型单晶硅片上，加热到一定程度，形成铝硅的熔融体，然后降低温度，熔融体开始凝固，在n型硅片上形成一含有高浓度铝的p型硅薄层，它和n型硅衬底的交界面处即为pn结。 能带弯曲，电子从势能低的n区向势能高的p区运动时，必须克服这一势能“高坡”，才能到达p区；同理，空穴也必须克服这一势能“高坡”，才能从p区到达n区，这一势能“高坡”通常称为p-n结的势垒，故空间电荷区也叫势垒区。 PN结单向导电特性 PN结加正向电压时，电阻小，形成较大正向电流ID，导通； PN结加反向电压时，电阻大，形成反向电流极小，不导通(截止)； 当反向电压足够高时，PN结内电场较强，在空间电荷区作漂移运动的载流子不断被加速，以致获得足够能量，它们碰撞晶体原子，使得共价键中的电子激发形成电子－空穴对（碰撞电离现象），新产生的电子和空穴在电场作用下加速，也获得能量，又碰撞别的晶体原子，继续产生电子－空穴对，这就是载流子的倍增效应. 齐纳击穿：高掺杂，空间电荷层窄，低反向（击穿）电、 压，产生电子空穴对，反向电流增大。 雪崩击穿：低掺杂，空间电荷层宽，高反向（击穿）电 压，撞价电子（撞出），产生电子空穴对，多 次重复，反向电流增大。 当p–n结上加反向电压 → 反向电流引起热损耗↑ →反向饱和电流↑ 如此反复循环下去，最后发生热电击穿。 主要参数 当外部电压达到一定值时，反向电流几乎不随反偏电压变化，形成饱和电流——反向饱和电流（Is） 当外电场很强,反向电压超过某一数值后， 反向电流会急剧增大----反向击穿。 击穿电压 V(伏) I -１０ -２０ -３０ （微安） 反向 -20 -30 Is 这一特性称为单向导电性。 由前面的a、b合起来可以表述为： VT —热电压 VT=KT/q IS—PN结反向饱和电流 在室温（T=300K)时， PN结的电压与电流关系 PN结正、反向特性，可用理想的指数函数来描述： + + + + + _ P N _ _ _ _ V I （1）当V=0时，I=0 （3） 当V0，且|V|UT时，I?-IS 讨论： （2）当V0，且VVT 时， 半导体二极管的外型和符号 正极 负极 符号 平面型 N型硅 阳极引线 PN结 阴极引线 金锑合金 底座 铝合金小球 二极管就是一个封装的PN结 VD I 2 PN结——伏安特性 VD I 反向特性 正向特性 击穿特性 a 有死区（ID≈0的区域） 正向电压很小，对内建电场影响小， ID≈0 ——PN结不导通 (1)．V0, 正向特性 反向特性 击穿特性 VD I 正向特性 死区电压 Von O 死区电压的大小与 管子的材料及温度有关 b 呈现指数形式区域 硅管Von=0.5V～0.7V 锗管Von=0.1V ～0.3V 反向特性 击穿特性 VD I 正向特性 死区电压 Von O 而当V Von后，曲线陡直 ——PN结导通 二极管正向导通时的电压称导通电压Von (2)．反向特性 a 当 时， IS 硅管0.1?A 锗管几十到几百?A 反向特性 击穿特性 VD I 正向特性 死区电压 Von O V(BR) Is b 当 时 反向电流急剧增大 二极管发生反向击穿 当反向电流剧增时所对应的反向电压叫击穿电压VBR ① 雪崩击穿 PN结的击穿 雪崩击穿和齐纳击穿 电击穿 热击穿 形成链式反应，载流子浓度和反向电流骤增， 向雪崩一样——雪崩击穿 雪崩击穿满足 空间电荷区电场强度大 空间电荷区宽度大 ② 齐纳击穿（隧道击穿） 空间电荷区较窄，反向电压增加→ Pn结能带弯曲程度↑ （可能出现n区的Ec比p区的EV低） － 当△x短到一定程度，在电场作用下，p区价带电子将通过隧道效应穿过禁带到达n区导带中，是反向电流急剧增加——隧道击穿。 qVD Ec △x Ev Ec Ev Eg p n 最初由齐纳提出解释电解质击穿现象——齐纳击穿 NVD↑，△x↓——易发生隧道击穿 当N小，即掺杂浓度低。VD须很大才发生隧道击穿，