Eu或Tb掺杂Lu2O3纳米片的合成和发光性能的研究-文献翻译作业.docVIP

Eu或Tb掺杂Lu2O3纳米片的合成和发光性能的研究 Jiacheng Wanga,b, Qian Liua,*, Qingfeng Liua a国家高性能陶瓷和超微结构重点实验室，上海硅酸盐研究所， 定西路1295号，上海200050，中国中国科学院研究生院 玉泉路19A，北京100039，中国 在没有催化剂和模板的参与下，我们通过使用掺杂Lu（OH）3胶体前驱体，用水热法在140℃，pH值13-14的条件下反应24小时成功地合成了大尺寸且结构统一的稀土（Eu或Tb）掺杂纳米片方Lu化合物。所合成的纳米片是边长为200-400 nm，厚度为40nm的方形形貌。我们推导出出“面包装“机制来描述纳米片方的生长机理。掺Lu化合物前驱体在900℃下通过热分解方法反应2小时合成掺杂Lu2O3荧光粉的纳米片方。 关键词：水热，纳米片，铕，铽，氧化镥 1.引言 在发现碳纳米管之后，纳米材料制备受到了高度重视，在很多功能器件上都有潜在的应用[1-3]。由于缺少对他们合成机理方面的认识，诸如纳米点，纳米线，纳米棒，纳米管，纳米电缆，纳米片，等等还没有被广泛地研究 [4-8]。 稀土氧化物是一种先进材料，它已被广泛用作催化剂[9]，高性能荧光粉[10,11]及其他功能材料[12,13]。如果把稀土氧化物做到纳米级，由于纳米效应它将表现出更强的性能。如今，许多不同形貌的纳米稀土氧化物通过水热法制得[14-18]。稀土氧化物的形研究主要集中在纳米管和纳米棒。 在这份报告中，我们首次合成了稀土（Eu或Tb）掺杂Lu2O3纳米片方。首先，Eu或Tb掺杂镥化合物纳米片方是由水热法合成；然后，用高纯度相，粒径分布和微观结构的均匀的优质荧光粉煅烧，得到了所制备的掺镥化合物的前驱体。 2.实验 实验所使用的RE2O3的纯度等级均高于99.9％。在我们和其他人对掺杂浓度对发光效率的影响实验的基础上，结果发现有6mol％ Eu3 +和1 mol％ Tb3 +掺杂时有较好的发光效率。然后，我们通过水热法合成了铕（6mol％）或Tb（1mol％）掺镥化合物纳米片方，实验方案如下：把Lu2O3，Tb2O3和Eu2O3适量溶解于稀硝酸分别获得0.4M Lu(NO3)3，0.0167M Tb(NO3)3，0.1M Eu(NO3)3。然后，在室温条件下，把含有0.65g的氢氧化钠的63.8ml碱液慢慢加入含5ml Lu(NO3)3，1.2ml Tb(NO3)3溶液（或Eu(NO3)3溶液）中，并搅拌。该胶体溶液最终的pH值约为13-14。搅拌半小时，将胶体倒入一个100毫升容量反应釜中，温度维持在140°C， 24小时，然后冷却到室温。得到的产物，用清水洗净，并在空气中100°C干燥。然后把产物在900°C，空气中煅烧2小时得到铕（6mol％）或Tb（1mol％）掺杂Lu2O3纳米片。样品的物相通过D/max 2550 X射线衍射分析（Cu靶）进行确定 3.结果与讨论 图1是水热法制备的掺镥化合物纳米片X射线衍射图案。该模式不能作为Lu(OH)3，LuOOH或其他已知的镥化合物的指标。因此，我们的合成镥化合物的方法是一个新的尚未出现在JCPDS上的方法。后续工作正在进行。 图1水热法合成的掺镥化合物纳米片X射线衍射图案。 图2给出了几个水热法合成的样品的TEM照片。图2a是掺杂Lu(OH)3的前驱体在140°C下通过水热法反应24小时得到的掺镥化合物纳米片方TEM照片。从中可以看到，掺镥化合物纳米片有大小在200-400nm的片的形貌。在所得产物中有完整的正方形纳米片。图片上可看到纳米片的厚度为?40nm左右。水热处理前，高pH值保证了纳米片方的形成。当胶体前驱体的pH值在6左右时，通过水热法只有一半的产品获得是方形的纳米片和其他的都为纳米棒如图2b所示。 在我们的看来，虽然这些纳米结构的精确形成机制还不清楚，但可以确信的是他们的生长不需要催化剂或模板。在我们的实验中，胶体前驱物是由Lu(NO3)3或Tb(NO3)3和Eu(NO3)3的加入氢氧化钠溶液混合而成的溶液。这个过程是调节混合溶液pH值，使其在强碱溶液中迅速生成白色沉淀物（图2c），它一出现立即在快速调整形成的pH值强碱性溶液。Sun等人提出，这可以被视为一个类似于“注射“技术的过程。[25] 图2C是包含许多形态不规则的纳米粒子的掺杂Lu(OH)3胶体前驱体形貌的TEM照片。因此，纳米片方的生长很可能是由固态法（SS）的控制。氢分子在水热处理下溶解，随后，分散-再结晶-生长生成纳米片方。很显然，胶体粒子是结晶生长的前驱体，而不是离子种类。我们提出了一个固相法的机制，假设为纳米带生长的气-固过程。同时，有趣的是，产物中有许多“不正常“生长的纳米片方（图2a）。这些“不正常“纳米片的一些方面得体失去部分。根据观察