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西安建筑科技大学硕士论文
低温烧结复合取代 YIG 铁氧体制备工艺及电磁性能研究
专 业:材料物理与化学
硕 士 生:李 宁
指导教师:许启明 教授
摘 要
本文以Y O 、Fe O 、Bi O 、V O 、CaCO 、In O 和SnO 为原料,采用传
2 3 2 3 2 3 2 5 3 2 3 2
统 陶 瓷 工 艺 制 备 了 [Bi Y Ca ](Fe Sn V )O ( 即 Sn :Bi-CVG) 和
0.75 1.05-x 1.2+x 4.4-x x 0.6 12 x
Y Bi Fe In O 铁氧体材料。并在此基础之上,对传统陶瓷工艺进行改进,通过
2 1 5-x x 12
采用复式预烧烧结工艺和离子取代相结合的方法制备了Y Bi Fe In O 铁氧体。
2 1 5-x x 12
试样体积密度、微结构、软磁性能、介电性能及铁磁共振线宽分别通过X射线衍
射仪(XRD)、扫描电子显微技术(SEM)、软磁材料自动测试系统(MATS)、矢量网
络分析仪和微波铁磁参数测量仪等进行了表征。结果表明:
⑴适量添加 Sn4+离子能降低 Bi-CVG 铁氧体的烧结温度和明显提高 Bi-CVG
铁氧体的软磁性能。随着 Sn4+含量的增加,饱和磁化强度 4πMs 先增加后减小,
矫顽力 Hc 和铁磁共振线宽(ΔH)起初显著降低,后略有增加。此外,所有试样中,
在 1075℃烧结温度下的试样 [Bi0.75Y0.65Ca1.6](Fe4.0Sn0.4V0.6)O12 具有致密的结构
和最佳的磁性能:RD (相对密度) = 98.49% ,Hc = 152.3 A/m,4πMs = 711.3×10-4T,
ΔH = 2.1 kA/m 。
⑵In 取代改善了 Y Bi Fe O 铁氧体材料的磁性能。适当的 In 取代提高了饱
2 1 5 12
和磁化强度 4πMs 和剩磁 Br ,明显降低了矫顽力Hc 。In 取代在一定程度上降低
了烧结温度。样品的介电性能没有随 In2O3 的添加发生明显的变化。x=0.4 的样
3 -4
品,在 1050℃烧结后制备的样品磁性能如下:ρ=5.88g/cm ,4πMs=1029.0 ×10 T,
Hc=710.2 A/m,ε´为 10.0~14.0,tanδe 为 0.0015~0.0085 。
⑶采用复式预烧烧结工艺和离子取代相结合的制备方法可以使 In 掺杂
Bi-YIG 铁氧体烧结温度降低到 1000℃,其饱和磁化强度 4πMs 和介电性能基本
没有变化,剩磁 Br 略有下降,但矫顽力 Hc 下降明显。具体性能参数如下:
-4 -4
4πMs=998.8 ×10 T,Hc= 646.5A/m ,Br= 451.6 ×10 T,ε´为 10.595~13.257,tanδe
为 0.0009~0.0088,µ ´为 1.045~1.298,tanδ 为 0.0025~0.0292 。
m
西安建筑科技大学硕士论文
综上所述,我们对低温烧结复合取代 YIG 铁氧体的制备工艺及电磁性能进
行了研究,成功制备了 Sn 取代 B
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