AlGaN%2fGaN+HEMT物理模型与器件耐压研究.pdf

摘要 摘要 基于第三代宽禁带半导体GaN材料的A1GaN／GaN高电子迁移率晶体管衄曲 electron mobility 热点。针对当前实现高频、大功率AIGaN／GaNHEIVIT所面临的物理模型、电场理 论及器件制备等相关科学技术问题，本文从器件物理角度出发，研究了A1GaN／GaN HEMT电荷控制模型和电流崩塌效应，探讨了器件耐压特性与提高耐压的场板技 术。 electron (1)通过近似简化非线性费米能级与二维电子气(two-dimensionalgas， 2DEG)密度函数，然后取其在某点泰勒展开式前两项作为线性近似，建立了线性化 费米能级与二维电子气密度关系解析模型。该模型大大增强了非线性费米能级与 2DEG密度关系线性近似的精度和应用灵活性。 的影响，应用所建立模型线性化费米能级与2DEG密度关系，建立了适用于增强 型且兼容耗尽型AIGaN／GaNMISHEMT的线性电荷控制解析模型。 进一步通过综合考虑AIGaN势垒层电荷和异质结界面极化电荷，详细分析 立了适用于A1GaN／GaNMISHEMT全部栅工作电压的全域电荷控制解析模型。研 究分析结果表明，2DEG在II区达到饱和，为确保栅对沟道的控制，栅工作电压 不应超过2DEG饱和电压：II区栅压跨度约占2DEG饱和之前栅压范围的50％。 上述三个模型在各自适用范围内均与实验结果符合良好。 (2)实验研究了AIGaN／GaNHEMT栅阶跃脉冲响应，提出用快电子与慢电子 释放两种过程来解释表面态电子弛豫，建立了漏极电流响应过程拟合算式，得到 与快、慢电子释放相关的时间常数分别为171=0．23s、t21．38s。 (3)实验研究AIGaN／GaNHEMT耐压特性表明，两端击穿与三端击穿测试是 等效的；栅长对器件耐压影响较小；栅极与漏极(源极)距离为21xm时，击穿电 摘要 压为60,--70V，随距离增大近似以54V／Ixm线性提高。 (4)研究了场板对沟道电场分布的调制，并对长栅漏距源场板，短栅漏距r栅 场板、Z型源场板及r_吧混合结构场板进行了仿真优化，确定了击穿电压、频率 特性与场板结构参数的关系。在栅漏距为2．2pm时，单一场板可使击穿电压达到 400V，而r+z混合结构可提高击穿电压到600V。r栅场板的频率特性受场板长度、 绝缘层厚度影响较大，而z型源场板频率特性受到的影响较小，甚至受长度的影 响可以忽略。 (5)基于实验研究结果和物理模型的优化设计，试制了SiC衬底0．41xrn栅长， HEMT。获得最大输出功率密度 栅宽分别为3mm、lmm和1001xm的A1GaN／GaN 5．85dB。1001xm栅宽器件在Vns=16V时，获得的最大^与缸分别为39．4GHz和 112GHZ。 本文的物理模型、实验研究与仿真优化结果可望用于器件特性的进一步建模 或作为AIGaN／GaNHEMT性能评估、结构优化或工程设计参考。 关键词：A1GaN／GaNHEMT，物理模型，器件耐压，电荷控制模型，场板工程 Ⅱ ABSTRACT efforthasbeen forAIGaN／GaNelectron transistors Much paid higll mobility in thetllird widebandsemiconductorGaNorderto on generation gap (HEMTs)based achieve of and duetoits powerde