电子信息物理学3-2008.09.10.ppt

* 半导体电阻率与载流子浓度和迁移率成反比 载流子浓度 迁移率 低温，T 电阻率 载流子浓度 迁移率 中温，T 电阻率 载流子浓度 迁移率 高温，T 电阻率 3.5半导体材料 半导体材料 元素半导体：Si、Ge、Se、Te…… 化合物半导体：晶态、非晶态无机、有机化合物、氧化物 3.5.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的化学键：共价键和极性键构成的混合键 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体由9中组成： GeAs（砷化镓）单晶材料：闪锌矿晶体结构，第二代半导体材料，继Si后发展很快、应用最广的半导体材料、 直接带隙 光电子器件、光电存储材料： InP(磷化铟)单晶材料： 在某些材料上比GeAs（砷化镓）更加优异 发展的趋势为： Si GeAs InP Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体（合金半导体）： 例如： GePxAs1-x （三元素，0x1） （AlxGeP1-xAsySb1-y四元素，0x1， 0y1 ） 黑点处： 二元化合物半导体 黑但间连线上的点： 三元合金半导体 连线保卫的面上的点： 四元和经半导体 横坐标：晶格常数 纵坐标：禁带宽度、波长 化合物半导体需要与衬底晶格常数匹配 半导体具有直接带隙，则以禁带宽度决定发光波长。由于二元化合物的Eg可选择的范围有限，不能满足设计器件的要求。为此设计出由两种二元化合物构成的三元合金，即三