025PZN075PZT压电陶瓷掺杂改性和制备工艺研究.pdf

摘要 本文采用传统混合氧化物的方法合成、传统烧结来制备0．25PZN．0．75PZT陶 瓷。通过对镧掺杂0．25PZN．0．75PZT陶瓷的研究发现：镧掺杂会促进三方相向四 方相转变，使MPB向富锆的方向移动。适量的镧掺杂(≤5mol％)能显著提高压 电、介电性能，但过量的镧掺杂会形成焦绿石相而使性能恶化。此外，镧掺杂还 会显著降低陶瓷的居里温度，使陶瓷的烧结范围变窄。本文通过XRD确定出了 在最优配方的基础上，研究了其制备工艺如合成温度、成型压力、烧银工艺 及极化工艺对其性能的影响，并确定了一套基本的优化工艺：在900℃合成， 场下，极化10min。本文在极化时撤消电场前采用快冷的工艺，来研究极化条件 对性能的影响，避免了温度因素的干扰。 本课题还研究了铅含量分别对掺镧的、纯的及掺锰的0．25PZN．0．75PZT陶瓷 性能的影响，发现对于掺镧的0．25PZN-0．75PZT陶瓷，铅含量为1．00时，所获 得的性能最佳；而对于纯的0．25PZN．0．75PZT陶瓷，铅过量2m01％时，性能最 佳：对于掺锰的0．25PZN．0．75PZT陶瓷，铅过量4m01％甚至更多时，性能较好。 过量的PbO会同时抑制铅空位和氧空位的产生，对于以铅空位为主“软性’’压 电陶瓷，过量的PbO对铅空位产生的抑制作用占主导，因此压电性能会降低； 而对于以氧空位为主的“硬性”压电陶瓷，过量的PbO对氧空位产生的抑制作 用占主导，因而压电性能在一定范围内能得到提高。 此外，本文还通过外加和B位取代两种掺杂方式探究Sb205掺杂对 压电性能的提高不是很明显。 关键词：PZN．PzT镧掺杂表面金属化铅含量锑掺杂 ABSTRACT Inthis ceramicswere aconventional paper,0．25PZN一0．75PZTpreparedby mixedoxidemethodandconventional La sintering．Throughinvestigatingdoped 0．25PZN一0．75PZT conclusionscanbefound：La a ceramics，some dopingpromotes transitionfromtherhombohedraltothe theMPBto andmoves phase tetragonalphase the Zr／Ti ofLa high ratio．Amoderateamountdoping(三5m01％)cansignificantly the excessiveLa can improvepiezoelectric，dielectricproperties，but dopingpromote theformationof the pyrochlorephase，thusdeteriorating willreducetheCurie andmakethe temperature doping dramatically sinteringrange narrow．TheMPBof wasdeterminedinthe 0．25PZN一0．75PLZT(5m01％La)system ofZr／Ti=52．5／47．5-53．5／46．5