半导体技术应用于太阳能.pptVIP

半导体清洗设备的发展 70 ~ 80年代，以旧工艺为代表、手动操作式的清洗机为第一代清洗设备，无药液自动补偿控制。 80 ~ 90年代，以RCA工艺技术为基础、采用PLC控制的自动硅片清洗机为第二代清洗设备。 90 ~ 00年代，无花篮式自动处理设备及改良型RCA工艺使用，针对大尺寸硅片，达到高清洗效果的清洗机为第三代清洗设备。 21世纪~ ，基于第三代清洗技术、采用机能水工艺以满足低于0.1μm线宽、低K值、多层配线等生产工艺要求的自动硅片清洗机，挑战湿法清洗工艺的极限。 半导体湿法工艺面临的挑战 湿法工艺的发展焦点主要集中在： ? 降低缺陷率：主要指particle去除数目和效率； ? 选择比：根据化学药液对不同材料的刻蚀速度不同来达到既刻蚀目标又不损伤图形、衬 底、或衬底上的薄膜（由药液的种类改良而定）的目的； ? 表面处理的均一性； 湿法工艺面临的挑战： ? 在半导体芯片集成度约来越高，线宽越来越小的情况下，如何无损伤去除颗粒是要面临的关键问题； ? 传统化学清洗药液导致介电常数显著变化和对薄膜结构的构成损伤 ，很难维持低k材料的电介常数； ? 单片喷淋清洗设备在12寸IC芯片的制造过程中被广泛使用，清洗效果好，无交叉污染问题及节省药液。 第三代半导体清洗设备的优势对比 第三代半导体清洗设备的优势总结 CUC第三代清洗技术方案特点 CUC第三代清洗技术方案特点 CUC第三代清洗技术方案特点 CUC第三代清洗技术方案特点 CUC第三代清洗技术方案特点 表面处理的均一性： 1、药液浓度的控制： ①槽体结构和功能上采用四面溢流循环槽体设计保证槽内各位置药液浓度一致； ②利用时间控制和批次控制管理自动补液系统，保证多批次药液浓度一致； CUC第三代清洗技术方案特点 CUC第三代清洗技术方案特点 表面处理的均一性： 3、时间控制： 采用PLC全自动控制，工艺配方功能； CUC第三代清洗技术方案特点 设备加工环境： 由日本清洗行业资深专家进行设计指导，并监督加工质量；在1000级无尘室进行设备加工；制造车间实施5S管理。 中联科利全系列半导体清洗设备 半导体太阳能清洗技术对比 半导体传统RCA清洗技术： 硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类： A. 有机杂质沾污 B. 颗粒沾污 C. 金属离子沾污 用RCA法清洗可以有效去除粒子，并且能去除AL Mg Ca Na等金属离子杂质。改良的RCA用SPM溶液去有机杂质沾污，稀的HF腐蚀表面生成的自然氧化膜。 半导体太阳能清洗技术对比 单晶硅太阳能电池清洗制绒技术： 利用碱性溶液对单晶硅不同晶面的腐蚀速率的差异，在硅片表面腐蚀出“金字塔”的绒面结构。制绒后硅片表面无白斑、绒面均匀、气泡印小。 半导体太阳能清洗技术对比 多晶硅太阳能电池清洗制绒技术： 利用HNO3作为强氧化剂，与Si反应生成SiO2并产生空穴，HF与生成的SiO2反应生成溶于水的络合物H2SiF6 ，从而在硅片表面形成微沟。反应过程放出巨大的热量，控制好浓度、时间和温度能达到良好的绒面效果。适量添加CH3COOH可缓和反应。 半导体太阳能清洗技术对比 晶体硅太阳能电池制绒优点： 通过化学湿法制绒的方式来降低硅片表面对可见光的反射率 半导体太阳能清洗设备要求对比 应用到太阳能清洗设备的关键技术 半导体清洗技术在太阳能电池上的应用 太阳能电池工艺 中联科利太阳能制绒设备 制绒设备工序流程（单/多晶兼容） 中联科利太阳能制绒设备特点 工艺的稳定性 中联科利太阳能制绒设备特点 中联科利太阳能制绒设备特点 中联科利太阳能制绒设备特点 低腐蚀量 中联科利太阳能制绒设备特点 兼容性 中联科利半导体技术优势在太阳能设备中的具体应用 关键技术 先进的气路控制系统： 关键技术 全溢流的循环槽体设计 关键技术 关键技术 关键技术 日本资深专家严格的生产流程控制，洁净的生产环境，使太阳能的设备具有半导体设备的品质。选用满足半导体要求的管件、材料。 关键技术 关键技术 机械臂提升部整体包覆PP板； 花篮挂钩采用进口耐腐材料； 金属框体外露部均有防腐包板。 关键技术 采用QDR技术 成倍提高清洗效果 关键技术 关键技术 CUC 采用不同的耐腐蚀及兼容性材料，提高材料对单多晶工艺的可兼容性。两面风淋隔离，顶部外加洁净单元，利用三面气流的导向